第4章 MOS场效应晶体管-1.pptVIP

* 微电子学基础理论 第四章 MOS场效应晶体管 信息工程学院 姜梅 4.1 MOS结构与基本性质4.1.1 理想MOS结构与基本性质 MOS结构指金属-氧化物-半导体结构。 为便于讨论，规定在金属栅上所加电压UG相对于P型半导体衬底为正，称为正向偏置电压;反之则为反向偏置电压。 MOS 二极管结构 a) 透视图 b) 剖面图 1.理想MOS二极管的定义与能带 1）在外加零偏压时，金属功函数与半导体函数之间没有能量差，或两者的功函数差qφms为零 UG=0 时理想 MOS 二极管的能带图 2）在任何偏置条件下，MOS结构中的电荷仅位于半导体之中，而且与邻近氧化层的金属表面电荷数量大小相等，但符号相反。 3）氧化膜是一个理想的绝缘体，电阻率为无穷大，在直流偏置条件下，氧化膜中没有电流通过。 理想 MOS 二极管不同偏压下的能带图及电荷分布 积累现象 耗尽现象 反型现象 2.表面势与表面耗尽区 下图给出了P型半导体MOS结构在栅极电压UG0情况下更为详细的能带图。 在下面的讨论中，定义与费米能级相对应的费米势为 因此，对于P型半导体， 对于N型半导体， 静电势ψ的定义如图所示 而空穴和电子的浓度也可表示为ψ的函数 当能带如上图所示向下弯曲时，ψ为正值,表面载流子的浓度分别为 通过以上讨论，以下各区间