第04章 缺陷_03.pdf

半导体物理：第4章缺陷 1. 引言 2. 点缺陷 3. 位错 4. 扩展缺陷 5. 无序 附加材料 1 1. 引言 1. 在理想晶体中，每个原子都在指定的位置上，对理想结构的偏 离就叫缺陷； 2. 点缺陷本质上只涉及单个格点； 3. 线缺陷与面缺陷的形成能大约为N1/3与N2/3，这里N是晶体中的 原子总数； 4. 上述缺陷不是热力学平衡下应该有的；但通往热力学平衡之路 很长，因此这些缺陷可以认为是半稳的、准冻结的； 5. 实际上，也确实存在半稳的缺陷； 6. 通过对晶体进行退火，热力学平衡浓度可以得到重建。 2 2. 点缺陷 • 空位V：在给定原子位置上缺少一个原子； • 间隙原子（I，or Frenkel defect）：一个原子处在一个不属于晶 体结构的位置上；self-interstitial: 间隙原子与晶体原子种类 一致； • 杂质（impurity）：一个原子位置被另一个不同的原子占据；有两 种：格点替代杂质和间隙杂质； • 反位（anti-site）杂质A ：在AB型化合物半导体中，A原子占了B原 B 子的位置； • 下图(Fig. 4.1)：一个Ga空位，在Ga位和As位的Si杂质原子，一个复 合缺陷SiGa+V （at the (110) surface of Si doped GaAs ）。Observed with STM [160, 161] ： 3 4 1. A point defect is typically accompanied by a relaxation of the surrounding host atoms. 2. As an example, we discuss the vacancy in Si (Fig. 4.2a). 3. The missing atom leads to a lattice relaxation with the next neighbors moving some way into the void (Fig. 4.2b). 4. The bond lengths of the next and second next neighbor Si atoms around the neutral vacancy are shown in Fig. 4.2c. 5. The lattice relaxation depends on the charge state of the point defect (Jahn–Teller effect) which is discussed in more detail in Sect. 7.7. 6. In Fig. 4.2d the situation for the positively charged vacancy with one electron missing is shown. One of the two bonds is weakened since it 0 lacks a