非晶硅薄膜太阳电池制备工艺.pptVIP

一、非晶硅薄膜的制备工艺;规格尺寸：305 mm×915 mm×3 mm、635 mm×1245 mm×3 等 要求： 方块电阻： ～8Ω/6、 ～10Ω/8、 ～12Ω/10、 12～14Ω/14、 ～16Ω/□等 透过率：≥80％ 膜牢固、平整，玻璃4个角、8个棱磨光（目的是减少玻璃应力以及防止操作人员受伤）;激光刻划时SnO2导电膜朝上（也可朝下） 线距：单结电池一般是10mm或5mm，双结电池一般20mm 刻线要求： 绝缘电阻≥2MΩ 线宽（光斑直经）＜100um 线速＞500mm/S;⑶ 清洗;⑷ 装基片;根据生产工艺要求控制：沉积炉真空度，沉积温度，各种工作气体流量，沉积压力，沉积时间，射频电源放电功率等工艺参数，确保非晶硅薄膜沉积质量。;沉积P、I、N层的工作气体;a-Si完成沉积后，将基片装载夹具取出，放入冷却室慢速降温;根据生产预定的线宽以及与SnO2切割线的线间距，用绿激; 镀铝的目的是形成电池的背电极??它既是各单体电池的负极，又是 各子电池串联的导电通道，它还能反射透过a-Si膜层的部分光线，以增 加太阳能电池对光的吸收。 ? 镀铝有2种方法：;激光刻划时铝膜朝下 刻划要求： 线宽（光斑直经）＜100um 与a-Si刻划线的线距＜100um 直线度 线速＞500mm/S;通过上述各道工序，非晶硅电池芯板已形成，需进行IV测试，;将经IV测试合格的电池芯板置于热老化炉内，进行110℃/12h;SnO2导电玻璃;非晶硅薄膜电池制造工艺（玻璃基材）;非晶硅薄膜电池制造工艺（玻璃基材）;;SnO2导电玻璃;小结：;课外任务检查：;二、非晶硅的光照衰退(Staebler-Wronski效应);测试环境;Eff =Pm/（1000W/m2×组件面积) 例如公司电池片输出功率为480W，面积为5.7m2 ， 则效率η=480/(1000*5.7)=8.42% Stable Eff Initial Eff 初始最大输出功率 稳定最大输出功率 (初始功率-稳定功率)/初始功率;三、非晶硅薄膜电池的发展;;总结;总结