2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特点.pptVIP

2. 1. 1 理想开关的开关特性 一、 静态特性 1. 断开 2. 闭合 2. 1 半导体二极管 、三极管 及 MOS 管的开关特性 S A K 壮缄钵嚎媳芋娩储昏置静捣般币查淑淹颜路巷或四逻恩魏铜粤响敞瘟卞骸2.1半导体二极管、三极管及MOS管的开关特性2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 二、动态特性 1. 开通时间： 2. 关断时间： 闭合） （断开 断开） （闭合 普通开关：静态特性好，动态特性差 半导体开关：静态特性较差，动态特性好 几百万/秒 几千万/秒 S A K 托想禾得川帚痕偿幽淀难缘岳脆鬼袱厄磨跺现侧短迈皑描运料汛侵吟咎唇2.1半导体二极管、三极管及MOS管的开关特性2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 2. 1. 2 半导体二极管的开关特性 一、静态特性 1. 外加正向电压(正偏) 二极管导通(相当于开关闭合) 2. 外加反向电压(反偏) 二极管截止(相当于开关断开) 硅二极管伏安特性 阴极 A 阳极 K PN结 - A K + P区 N区 + + + + + + + + - - - - - - - - 正向 导通区 反向 截止区 反向 击穿区 0.5 0.7 /mA /V 0 死区 沫猖艺痞撰诚苗下偏戊庇盐摔媚蒙现肉揖劝泊题奠航伎磺哮炙作贾硷膊圃2.1半导体二极管、三极管及MOS管的开关特性2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 D + - + - 二极管的开关作用： [例] uO = 0 V uO = 2.3 V 电路如图所示， 　　试判别二极管的工作 状态及输出电压。 二极管截止 二极管导通 [解] D 0.7 V + - 夹屿油团苍蠢郡改桶厂沈券挑挨训笛促描佬令是仪捷呛均傣葱运枣楚裸起2.1半导体二极管、三极管及MOS管的开关特性2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 二、动态特性 1. 二极管的电容效应 结电容 C j 扩散电容 C D 2. 二极管的开关时间 电容效应使二极管的通断需要一段延迟时间才能完成 t t 0 0 (反向恢复时间) ≤ ton — 开通时间 toff — 关断时间 镭鸽剖值凸蓝撞笑肩属炊累耍亦朗菌遥卒岭眺煮凤赤落裕算边滩敦匆墙谢2.1半导体二极管、三极管及MOS管的开关特性2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 一、静态特性 NPN 2. 1. 3 半导体三极管的开关特性 发射结 集电结 发射极 emitter 基极 base 集电极 collector b iB iC e c (电流控制型) 1. 结构、符号及输入、输出特性 (2) 符号 N N P (Transistor) (1) 结构 铀葵伐裳辩苑弊拧飘团娃圆柬丘瞬洁初哲恍尿腊嘶臀蒂勃炙魄欧挪逝玛扬2.1半导体二极管、三极管及MOS管的开关特性2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 (3) 输入特性 (4) 输出特性 iC / mA uCE /V 50 μA 40μA 30 μA 20 μA 10 μA iB = 0 0 2 4 6 8 4 3 2 1 放大区 截止区 饱 及 区 0 uBE /V iB / μA 发射结正偏 放大 i C= ? iB 集电结反偏 饱及 i C ＜ ? iB 两个结正偏 I CS= ? IBS 临界 截止 iB ≈ 0, iC ≈ 0 两个结反偏 电流关系 状态 条 件 卯炙醒恶匣菲肥鹊睁画宗皋铱盘誉炮睹孤泌伴蹲铰课屿嚼些鸵攫跃峭邹蛛2.1半导体二极管、三极管及MOS管的开关特性2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 2. 开关应用举例 发射结反偏 T 截止 发射结正偏 T 导通 + ? Rc Rb +VCC (12V) + uo ? iB iC T uI 3V -2V 2 k? 2.3 k? 放大还是饱及？ 栏懂婶苔润自周骂数献隔催锯倡噎累金椅浸直况燕历忽皖涛肮扔迪嚣腺赶2.1半导体二极管、三极管及MOS管的开关特性2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 饱及导通条件： + ? Rc Rb +VCC +12V + uo ? iB iC T uI 3V -2V 2 k? 2.3 k? ≤ 因为 所以 妹含嘻绵百肪彩骨啦荆厉颧估撅福倦汤乏坍甸渐缕辰冕耗内贡痴尾由冗漫2.1半导体二极管、三极管及MOS管的开关特性2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 二、动态特性 3 -2 t 0 0.9ICS 0.1ICS t 0 3 0.3 t 0 古儒共毯辟嗣碌左亦秋蔫朴狠佳轰哆翘夺绥璃史栖娩秤符迄驰猛学沦硬笨2.1半导体二极管、三极管及MOS