2.5库仑壅塞与单电子器件.pptVIP

6.单电子器件（ single-electron device SED） （1）问题的提出 是否存在有控制单个电子的可能性? 回答是肯定的。因为电压V与电容C之间的关系为V=Q/C , 在电荷Q=电子电荷q≈10-19C 时, 若 C=10-18F , 则 V ≈0.1V。这就是说, 若采用纳米电容即可通过电压来控制单个电子的运动 。 否则：V很大！ 因此，从前面分析可知：采用“单电子岛-双隧道结”结构，能够采用电压来控制单个电子的运动 ，实现单电子器件——器件的开关特性由增减单个电子或电子只能逐个通过。 讣苹轨搀理梁摊氓祟请犀舱投烽讼入琐苛同妥惑耸齐勃袍罩砧僵埂拧然扶2.5库仑堵塞与单电子器件2.5库仑堵塞与单电子器件 （2）结构图 1-2 nm 10 nm 10 nm 皋请萎甲场镊鳞胞法恭钮吟墙翠卿帧碎滚腹脚济蛮呵寿白言鲍景线柑百琢2.5库仑堵塞与单电子器件2.5库仑堵塞与单电子器件 工作原理示意图 等效电路 Cg 删极绝缘层电容 CJ 隧道结的电容 RT 隧道结的电阻 毙惯咯西宛伪砌拾裳獭尤肿括从斌俱开予俘棍絮写讲囚哎行育萝泡杭状玉2.5库仑堵塞与单电子器件2.5库仑堵塞与单电子器件 2001年日本的科学家松本及彦就率先在实验室里研制成功了单电子晶体管，该晶体管中使用的Si和TiO2材料的结构尺寸都达到了10nm左右的尺度。 忙咸蚌综浑服如沟枚拧柴信晒赣网召柄袒楷要帛釜型半坤戌梭羡骨谚耸章2.5库仑堵塞与单电子器件2.5库仑堵塞与单电子器件 （3）SET的Coulomb阻塞状态 ①SET的工作——改变电压（VD与VG）实现调控 - VD +VS +V - V -VG -VG 结1 结2 C0 (V1) (V2) (R1,C1) (R2,C2) 结1 结2 岛 VG 岛 S D G ID + - - + VD 易洲丙衙臼征射钳谷碘挡辕丢秉猾累格苟拿问干扛镇仔燕暮级灌薯螟振掣2.5库仑堵塞与单电子器件2.5库仑堵塞与单电子器件 若开始量子岛中N=0, 则随着电压︱VD︱上升, V2 逐渐增大（＞ q/2C,首先结2脱离阻塞而隧穿； V1又增大（ ＞ q/2C）然后结1脱离阻塞而隧穿, 产生隧穿电流。量子岛的状态变化情况分析如图。 隧道结的能量 (或结电压)变化如下图： V2 V1 V2 V1 隧道结1 隧道结2 量子岛 N=2 N=1 N=0 N= -1 N= -2 q / C q / 2C - q / 2C - q / 2C q / 2C q?2+ q?1+ Γ? 是电子从左到右的隧穿几率。 电子e q / C =堵塞宽度 本穗寐鼠梳免相附聪钝黔件芍漆宇牧井杠冻蔡拜熔鸵育炔猩趟述走饿消嘴2.5库仑堵塞与单电子器件2.5库仑堵塞与单电子器件 N = 0 → (-1) → 0 → (-1) → ……最后保持为0。 隧道结的能量 (或结电压)变化如下图： V2 V1 V2 V1 隧道结1 隧道结2 量子岛 N=2 N=1 N=0 N= -1 N= -2 q / C q / 2C - q / 2C - q / 2C q / 2C q?2+ q?1+ 电子e V2 保持不变，电子输运一直保持 如果V2继续增加，如何变化？ 懂捷伦跌玲腮拟躬俗翅癌甚媒商悲师疏临贩模掺注义拷娄复咏穴檬栋洲蛹2.5库仑堵塞与单电子器件2.5库仑堵塞与单电子器件 ②.Coulomb台阶的形成 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 0 VD (V) ID -1.6×10-12 A -1.2×10-12 A -8×10-13 A -4×10-13 A 1 2 3 4 5 VG = 2 V T = 300 K VD VG 1 2 在VG或=0不变时, 通过VD 来调节ID，出现台阶式变化, 出现Coulomb台阶。 VD减小，势垒降低，1个电子隧穿，形成隧穿电流ID。 VD继续减小，势垒降低不能使2个电子隧穿，此时仍只有1个电子保持流动， ID- VD形成台阶1。当VD减小到一定值时，第2个电子隧穿，ID增大保持到第3个电子隧穿， ID- VD形成台阶2。如此循环，I-V特性呈现为台阶状，台阶的宽度就是Coulomb间隙 (100mV量级。如果宏观C很大，台阶消失)。 0 ∣VD︱ ID (伏安特性) 坝昏馆允拨全耻茶钥包账妨悦存陈睬走准鳞岔甸殿隋醉壳观慎局均阳疟句2.5库仑堵塞与单电子器件2.5库仑堵塞与单电子器件 名 称 量子化维数 器件工作机理 器件端数 I-V特性 共振隧穿器件，量子线 一维或二维量子化 量子共振隧穿效应 两端或三端 单电子晶体管 （当为单电子传输时） 三维皆纳米量级，但皆未量子化 库仑阻塞效应 三端 量子点器件 三维都量子化