一种改进的WOx忆阻器模型及其突触特性分析.PDFVIP

一种改进的WO 忆阻器模型及其突触特性分析 孟凡一 段书凯 王丽丹 胡小方 董哲康 AnimprovedWO memristormodelwithsynapsecharacteristicanalysis MengFan-Yi DuanShu-Kai WangLi-Dan HuXiao-Fang DongZhe-Kang 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,148501(2015) DOI: 10.7498/aps.64.148501 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.148501 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I14 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 纳米级尺寸参数对钛氧化物忆阻器的特性影响 Influenceoflengthparameteronthecharacteristicsofnanoscale titanium oxide memristor 物理学报.2015,64(10): 108502 /10.7498/aps.64.108502 单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型 A model of capacitance characteristic for uniaxially strained Si N-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 物理学报.2015,64(6): 067305 /10.7498/aps.64.067305 两类纳米级非线性忆阻器模型及串并联研究 Twotypesofnanoscalenonlinearmemristormodelsand their series-parallel circuits 物理学报.2014,63(12): 128502 /10.7498/aps.63.128502 非化学计量比靶材溅射制备Cu-Al-O薄膜的光学电学性质研究 ElectricalandopticalpropertiesofCu-Al-Othinfilmssputtered using non-stoichiometric target 物理学报.2011,60(11): 117307 /10.7498/aps.60.117307 物理 学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 14 (2015) 148501 一种改进的WO 忆阻器模型及其突触特性分析 孟凡一 段书凯 王丽丹 胡小方 董哲康 1)(西南大学电子信息工程学院, 重庆 400715) 2)(香港城市大学机械与生物医学工程系, 香港 999077) ( 2014 年12 月19 日收到; 2015 年3 月16 日收到修改稿) 忆阻器被定义为第四种基本电子元器件, 其模型的研究呈现多样性. 目前, 忆阻器模型与忆阻器实际特 性的切合程度引起了研究者的广泛关注. 通过改变离子扩散项, 提出了一种新的WO 忆阻器模型, 更好地匹 配了忆阻器的实际行为特性. 首先, 新的模型不仅能够描述忆阻器的一般特性, 而且能够俘获记忆丢失行为. 另外, 将新的忆阻器作为神经突触, 分析了脉冲速率依赖可塑性、短期可塑性、长期可塑性, 并发现了与生物 系统中极为相似的“经验学习” 现象. 最后, 考虑到温度与离子扩散系数的关系, 探讨了温度对突触权值弛豫 过程的影响. 实验表明, 新忆阻器模型比原来的模型更切合实际, 且更适合作为突触而应用到神经形态系统 之中. 关键词: 忆阻器, 离子扩散, 突触可塑性, 温度 PACS: 85.35.–p, 73.40.Sx, 73.43.Cd, 87.19.lw DOI: 10.7498/aps.64.148501 离子迁移模型能够模拟突触