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反激式开关电源传导干扰的Saber建模仿真
第37卷 第5期 电 子 器 件 V0l_37 No.5
2014年 10月 ChineseJournalofElectronDevices Oct.2014
SaberModelingandSimulationofConductedEMIinFlybackSwitchingPowerSupply
FANGYuanyuan,QINHuibin
(InstituteofElectronDeviceandApplciation,HangzhouDianziUniversity,Hangzhou310018,China)
Abstract:FortheconductedEMIproblem inflybackswitchingpowersupplyismoreserious,theflybackswitching
powersupplyworksandthereasonsofconductedEMIareanalyzed.ByusingtheSabersoftwaresimulationmodeliS
proposedtobuild.and thesimulationwaveforlTISofthe conductedEMIiSobtained.Testofthe conduction EM1
wavefolffnofthehardwarecircuitandcomparisonwithexperimentalresultsthemethodiSverified.
Keywords:switchingpowersupply;conductedEMI;modeling;MOSFET
EEACC:6230B:1210 doi:10.3969/j.issn.1005-9490.2014.05.034
反激式开关 电源传导干扰的 Saber建模仿真
房媛媛,秦会斌
(杭州 电子科技大学新型电子器件研究所,杭州 310018)
摘 要 :针对目前反激式开关电源传导干扰问题较为严重的现象,分析了反激式开关电源的工作原理以及电路产生传导干
扰的原因。利用Saber软件建立了电路的传导干扰仿真模型,得到了电路的传导干扰仿真波形。通过软件仿真结果与硬件电
路的传导干扰波形测试结果相对比,验证了模型的适用性。
关键词 :开关电源;传导干扰;建模;MOSFET
中图分类号 :TN97 文献标识码 :A 文章编号 :1005—9490(2014)05—0958—04
反激式开关电源因其结构相对简单,省去了电 由输入电容 C、变压器 、功率开关管 、整流二极
感,体积大大缩小,同时也因输出稳定,效率高等优 管 和输出电容 C。组成。
点被广泛应用于中小功率电源中1-2]。但是随着开
关电源的高频化,电磁干扰的问题 日益突出 j。 目
前人们对开关 电源电磁干扰的已有一定理论认识,
而实际电磁干扰会受到多种因素的影响,如电子元
器件 的自身参数、PCB布局布线 以及周 围设备的电
磁辐射干扰等。传导干扰主要 由于在高 di/dt以及
du/dt的情况下产生,快速变化的电压和 电流产生 图 1 反激 式开关 电源基 本 电路
高次谐波使电路的功能不稳定,也可能传播到 电网 当 导通时,变压器的初级绕组相当于电感 ,
对其他设备造成影响 J。目前对传导干扰的抑制 开始储存能量 。此时,因为变压器初次级绕组 同名
主要通过加人滤波器以及接地点合理地设置 j。 端相反,所以整流二极管 截止,输出电容 G。反向
本文以单端反激式开关电源为例,通过分析电路中 充电,输出电流为零。
主要元器件对传导干扰的影响,建立了电路的集总 当 截止时,次级侧整流二极管导通,变压器
参数模型。 初级侧电流逐渐降到零,线圈释放储存能量,耦合到
次级
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