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CZ法制晶棒的基础 CZ法の原理 什么叫位错？ 单晶炉装置 装料工序 化料工序 安定工序 引晶工序１ 引晶工序２ 放肩工序 什么叫晶线？ 各种硅晶线 100拉晶时的晶线例 转肩工序 等径工序 过度提高拉晶速度会发生什么情况？ 收尾工序 回熔工序 什么叫位错？ 结晶缺陷影像 位错（断线）是怎样动作？ 发生位错（断线）的原因 为何使用石英坩埚？ 石英坩埚的问题 热量的流动 液面的流动 坩埚和硅液的界面 出発材料 炉内气氛 ADC (Automatic Diameter Control) * 1。引晶工序 2。无位错引晶 3。坩埚与化料 4。热的流动 5。化料的流动 6。坩埚与液面的界面 7。其他 使用籽晶从坩埚的化料中用规定的方法提取晶棒。 1916年Czochralski确立的方法。1950年Teal等应用提炼硅，Dashde无位错技术的确立是1959年 1。整列化工序（但结晶化） 2。纯化工序（重金属不纯物） 3。规格化工序（方位，直径，特性） 多晶：有原子的排列，但出现不同位错的原子。 单晶：整齐，有周期（有秩序）的排列。 硅原子是4个原子相互连接=共有结合 单位格子（Unit cell）包含8个硅原子。 1Cm3约5×10*22个 金刚石结构 （C，Ge，Si等） ①单晶炉内调整Ar，压力为数托到数十托 使从液面发生的Sio气体容易去除。 ②炉内除石英坩埚，用高纯度的石墨制成。 加热器使用直流电流。 ③为了确保石英坩埚的上下摆动，旋转时的 密封性使用磁封。 ④晶棒的旋转和引晶，卷扬使用钢丝。 ⑤温度的测定使用红外线测温仪 ⑥直径的检测使用从晶棒和液面接触的 反射光=（光圈：新月形）来测定。 （用CCD传感器测出） 硅原材料或在利用材料装填石英坩埚为装料。 一般化料结束后剩余体积空间30~50%左右位置装满材料即可。（如装得太多石英坩埚受压，因加热时的膨胀容易破裂或容易搭在坩埚壁不易溶化） 但装料上部松散时从装料表面的放热变大， 不易化料（化料时的电力增加，石英坩埚的 变形桥的发生） 装料时硅料千万不可与石英坩埚碰撞（为了 避免石英坩埚的破裂，镀层的脱落） 从加热器释放的热量能充分的传递到硅料，调整坩埚位置。通常比引晶时低的位置化料 为快速化料急剧加大加热器功率的话硅料和石英坩埚产生较大的温度差，引起化料下降的现象。（引起硅料的蹦出，石英坩埚变形） 减压下边注入Ar慢慢化料。炉内压力比引晶时设高（数十托）为佳 装料后上部设反射盖（热屏等）的话能即快又可高效率的（低功率）化料。 什么叫安定？ 比插入液面温度 高的温度下暂时保持化料叫做安定。 加热器提供的热量和化料液面释放的热量的平衡来安定温度。 也为稳定化料。 化料不稳定的话容易发生位错。 因这些原因，存在化料的密度异常，发生气泡等现象。 也可发生共有结合没有完全分解的群状态。（溶液成分不能确定） 生成直径比籽晶的直径大或横向延伸。 新月形的模型图 （由表面张力形成的化料表面形状） 生成直径比籽晶的直径小或已断。 由热冲击籽晶接触面发生位错。籽晶发生位错时，位错大幅增加。 小于直径3mm快速引晶时位错散出外侧最终成无位错（引晶中确认无位错特有的晶线）。 插入液面之前预热籽晶可减少插入液面时的热冲击（容易消除位错) 因籽晶面上堆积同排列的原子，生成与籽晶同方位的晶体=并行连晶生成。 确认无位错（DF）的话下降引晶速度，把直径拉到所设定的目标直径为止。 引晶下端到目标直径间的部分叫放肩。 放肩部分因晶体方位的对称性可看出晶线。 如例图所示，晶体里有容易生成的面，这样的面所围成的结晶叫显示晶癖。 晶癖里反映出结晶的对称性。 面与面接触形成的稜叫晶线。 水晶用英文叫Crystal， 晶体也用英文叫Crystal。 水晶为SiO2，石英坩埚也SiO2是产生SiO的主成分 化料的温度梯度缓慢的话结晶的缺点温度梯度大时沿着晶体生成附近的等温线成圆形。留晶线。 通常低指数面（100）容易出现晶线。 晶线有变宽的时候（晶线分岔。） 这是因（111）面，晶线面产生的原因。 （111）面为特殊面，温度梯度缓慢时因成块原子付着生长快，容易产生平滑的晶线面。 （也有容易掺杂不纯物的特征。） 放肩部到等径时为了使其变化小 缓慢的移到目标直径，提高拉晶速度。 避免等径时直径变过大或过小。 由直径的制动控制（ADC控制）拉单晶棒。 由晶棒/坩埚的旋转拉成圆形（化料的温度梯度不能太缓慢为前提） 拉出晶棒的量减少化料。故引晶中提升坩埚位置使液面对好加热器中心，使热条件无变化。 其过程引晶的进行中液面和坩埚壁高差变大，进而从坩埚给晶棒的辐射热增加故生成结晶时必要的凝固热的释放变困难。 因此，通常按照引晶进行状况下调（SL=拉晶速度）拉晶速度的必要。