正交电磁场离子源及其在PVD法制备硬质涂层中的应用.docxVIP

真空VACUUM第51卷正交电磁场离子源及其在 PVD 法制备硬质涂层中的应用范迪，雷浩，宫骏，孙超（中国科学院金属研究所材料表面工程研究部，辽宁沈阳110016）摘要：离子源是离子束产生的关键部件，正交电磁场离子源是以霍尔电流为理论基础的一类低能离子源。本文综述了考夫曼离子源 、霍尔离子源以及阳极层线性离子源的发展历程及其在结构与功能方面的区别，分析了各种离子源在PVD法制备不同体系超硬涂层中的应用及对涂层结构、性能的影响，概述了国内外离子源的现状，并指出了国内离子源存在的问题。关 键词：考夫曼离子源；霍尔离子源；阳极层线性离子源；PVD中图分类号：O484；TB43文献标识码：A文章编号：1002-0322（2014）04-0048-05Orthogonal electromagnetic field type ion source and itsapplicationin preparation of hard coatings byPVDFan Di, LEI Hao, GONG Jun, SUN Chao（Surface Engineering of Material Division, Institute of MetalResearch,Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China）Abstract：Ionsourceisthekeypartforproducingionbeam.Orthogonalelectromagneticfieldtypeionsourceistheoreticallybased on Hall current.The history of Kaufman, Hall, and anode layer ion source are reviewed on the structure and function.TheinfluenceofvariousionsourcesonthecoatingsdepositedbyPVDmethodisanalyzed.Thestatusquoofionsourceandthe potential problems of domestic products are revealed.Key words：Kaufman ion source; Hall ion source; anode layer ion source;PVD1前言物理气相沉积（PhysicalVapourDeposition，PVD）法作为传统的硬质涂层制备方法，具有低温、高速两大突出特点，所形成的涂层致密，具有较小的摩擦系数，一直在高质量硬质涂层制备方法中占据重要位置。但PVD法沉积粒子能量普遍不高，在制备涂层时难以越过高温高压相形成能垒，在获取特定相结构时有一定的局限性。在 基片上施加负偏压可以加强离子对基片的轰击，增强沉积过程的能量，但对正离子的吸引过程不具备选择性，离子入射的角度也不可控，独立性较差。离子束辅助沉积（IonBeamAssistedDeposition，IBAD）是一种将离子束及涂层沉积两者融为一体 的材料表面改性和优化技术，最初应用于半导体器件领域[1]，近年来，其应用范围不断拓宽，辅助制备硬质涂层方面的报导也屡见不鲜。用于表面改性的离子束按能量大小，一般以10KeV为界，分为高能和低能两类。高能离子束一般应用于离子注入等领域，需要成本较高的粒子加速器，同时高能离子对涂层的反溅射作用明显，容易使已沉积的涂层再次离开基片，而大大降低沉积速率；低能离子束主要用于辅助沉积，较易获得，与PVD法结合，不但可以增强沉积过程的能量，也可实现对入射离子种类、束流强度及入射方向的单独控制，可独立摸索沉积参数，优化工艺参数后可明显改善涂层致密度、晶粒大小、晶粒取向、表面形貌等性能，达到提高膜-基结合力的目的。特别是在对沉积温度有特殊要求的条件下，离子束辅助沉积可以在保持基片低温的前提下，提高涂层在沉积过程中的能量[2]。离子源是产生离子束的核心部件，其中正交电磁场离子源（OrthogonalElectromagneticFieldtypeionsource）是通过电磁场束缚电子运动，使气体电离为正离子后，在电场或电磁场作用下加速形收稿日期：2014-03-25作者简介：范迪（1990-），男，湖南省长沙市人，博士生 。通讯作者：孙超，研究员，博导。第4期范迪，等：正交电磁场离子源及其在 PVD法制备硬质涂层中的应用·49·成离子束。相较于其他形式离子源，如电子回旋共振（ElectronCyclotronResonance，ECR）、电容耦合离