盐浴炉控制系统设计.docVIP

1 引言 1.1 盐浴炉介绍 盐浴炉是用熔融为加热介质、将工件浸入盐液内加热的工业炉。根据炉子的工作温度，通常选用氯化钠、氯化钾、氯化钡、氰化钠、氰化钾、硝酸钠、硝酸钾等盐类作为加热介质。盐浴炉的加热速度快，温度均匀。工件始终处于盐液内加热，工件出炉时表面又附有一层盐膜，所以能防止工件表面氧化和脱碳。盐浴炉可用于碳钢、合金钢、工具钢、模具钢和铝合金等的淬火、退火、回火、 氰化、 时效等热处理加热，也可用于钢材精密锻造时少氧化加热。盐浴介质的蒸气对人体有害，使用时必须通风。盐浴炉分内热式和外热式两大类。内热式盐浴炉又分为电极盐浴炉和电热元件盐浴炉两种。 电极盐浴炉 通过金属电极将低压 (5.5～36伏)大电流交流电引入炉内，电流流过盐液发热。盐液既是发热体，又是对工件加热的介质。盐液温度依盐液成分而不同，一般在150～1300之间。磁场的作用能使盐液循环翻动，有利于盐液温度均匀，又能提高工件的加热速度。电极盐浴炉由电极、耐火炉衬、密封金属炉罐、绝热层和炉壳构成，由专用变压器供电。因固态盐不导电，开炉时先向起动电极送电，利用起动电极的电阻发热使一部分盐先熔化，然后接通主电极使电流通过熔盐发热工作。主电极有插入式和埋入式两种结构形式。插入式电极：电极从炉口插入炉内。这种电极结构简单，装卸方便。埋入式电极：电极埋在盐中，不接触空气，使用寿命较长。用这种电极的炉膛容积利用系数高，但电极拆卸较困难。两种电极都可用碳钢或耐热钢锻成，也可铸造。 电热元件盐浴炉 它由管状电热元件、金属槽(锅)、搅拌器、隔热层和构成。通电后元件发热将盐熔化。这种炉多用硝盐，故又称硝盐炉。硝盐最高工作温度不超过 550。温度超过此限会加剧硝盐分解，发生事故，因此需要设置超温报警装置。如将硝盐改为苛性钠或苛性钾，则成为碱浴炉，这种炉子适用于钢的光亮淬火。 外热式盐浴炉 盐浴炉的金属炉罐（坩埚）放在炉膛内，用电或火焰进行加热，热效率较低，仅在小型盐浴炉上采用。 图2.1系统总体设计框图 3 单片机介绍〕 C8051F005系统概述: C8051F000系列器件是完全集成的混合信号系统级MCU芯片，有一个真正的12位多通道ADC（F05）。每种器件都有一个可编程增益放大器、两个12位DAC、两个电压比较器（F002/07/12/17例外，只有一个）、一个电压基准、一个具有32K字节FLASH存储器并与8051兼容的微控制器内核。还有硬件实现的I2C/SMBus、UART、SPI串行接口及一个具有5个捕捉/比较模块的可编程计数器/定时器阵列（PCA）。还有4个通用的16位定时器和4字节宽的通用数字I/O端口。C8051F005有2304字节的RAM，执行速度可达25MIPS。 这些具有片内VDD监视器、WDT、和时钟振荡器的MCU是真正能独立工作的片上系统。每个MCU都能有效地管理模拟和数字外设。FLASH存储器还具有在系统重新编程能力，可用于非易失性数据存储，并允许现场更新8051固件。每个MCU都可以关闭任何一个或全部外设以节省功耗。 片内JTAG调试支持功能允许使用安装在最终应用系统上的产品MCU进行非侵入式（不占用片内资源）、全速、在系统调试。该调试系统支持观察和修改存储器和寄存器，支持断点、观察点、单步及运行和停机命令。在使用JTAG调试时，所有的模拟和数字外设都可全功能运行。 每个MCU都可在工业温度范围（-45℃到+85℃）内用2.7V-3.6V的电压工作。端口I/O、/RST和JTAG引脚都容许5V的输入信号电压。C8051F000/05/10/15为64脚TQFP封装（见图3.2）。 图原理框图 图3.2 C8051F005引脚图 4 电源模块设计 电源系统的质量关系到整个系统的稳定性，一个稳定可靠的电源是电子系统可靠工作的基础。根据不同的电源消耗需求，可以选择线性稳压源方案或开关稳压源方案。对于前一种方案，可以获得低噪声、廉价等益处，但同时也存在效率低，发热较大等缺点；对于开关电源方案正好与线性电源方案的优缺点相反，可以获得90%以上的工作效率，但同时可能会引入开关噪声，辅助电路也相对复杂[12]。 整个系统需要的电源有24V、5V、3.3V三种。其中电机驱动、变送器和继电器需要24V、键盘显示和报警保护电路需要5V；C8051F006处理器、存储模块、时钟模块需要3.3V。由于逻辑电路部分功耗很小，C8051F006的功耗最大不超过200mW。所以本设计采用固定正压输出的单片集成稳压器CW7824、L4960和AMS1117将220 V 图4.1 交流220V 到24V转换电路 图4.2 交流220V 到5.0V转换电路 图4.3 交流220V 到3.3V转换电路 L4960为意法公司设计的小功率开关电源调节器，最大输出电流2.5