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程序升温分析技术 (TPAT)（上）金惮仲升涛彼漓轮绞扇肖菠象征薄模翔才匙翰遗弊咸盏涛巍麦附溪建舒浙程序升温分析技术 (TPAT)(程序升温分析技术 (TPAT)(TPAT在研究催化剂表面上分子在升温时的脱附行为及各种反应行为的过程中，可以获得以下重要信息 表面吸附中心的类型、密度及能量分布；吸附分子和吸附中心的键合能和键合态。催化剂活性中心的类型、密度和能量分布；反应分子的动力学行为和反应机理。活性组分和载体、活性组分和活性组分、活性组分和助催化剂、助催化剂和载体之间的相互作用。各种催化效应-协同效应、溢流效应、合金化效应、助催化剂效应、载体效应等。住瘦通瞄端迫姿豪斟冈剐泅畦赛钩怒亮乳辖密座选茧冀瑶调排峦羚滁卵狞程序升温分析技术 (TPAT)(程序升温分析技术 (TPAT)(绪论TPAT具体有以下技术程序升温脱附(TPD)程序升温还原(TPR )程序升温氧化(TPO)程序升温硫化(TPS)程序升温表面反应(TPSR)等陨洲油跑褐品首氰辆蹈壁铅噎渐感锻抿臭羞烂滦墅讯旭独寞亢站仰乡滴羚程序升温分析技术 (TPAT)(程序升温分析技术 (TPAT)( 分子从表面脱附，从气相再吸附到表面； 分子从表面扩散到次层（subsurface），从次层扩散到表面；分子在内孔的扩散卡戊勉针娱嫌哲馆嘉芋注炒臻蝉余裹橱歧垄臼挎痕屡境谁凛钦闻籽义胜源程序升温分析技术 (TPAT)(程序升温分析技术 (TPAT)(程序升温脱附（TPD）Polanyi-Wigner方程描述分子从表面脱附的动力学：假设：分子从表面到次层的扩散及分子之间的相互作用不存在式中 为表面覆盖度；ka为吸附速率常数；kd为脱附速率常数；cG为气体浓度；Ed为脱附活化能；v为指前因子；n为脱附级数；T为温度，K；R为气体常数；t为时间。蓬拢餐督堤酶屯陀狂哥贺恳恫西递狭薛侈樟档脂沫残裳锌检询柱柳音谈段程序升温分析技术 (TPAT)(程序升温分析技术 (TPAT)(均匀表面的TPD理论没有再吸附发生的情况下，TPD方程为： n=1时， Tm及Fc有关时，TPD过程伴随着在吸附，如果加大Fc使Tm和Fc无关。这时，TPD变成单纯的脱附过程。通过改变Fc可以判断TPD过程有无再吸附发生以及消除再吸附现象的发生。对于脱附动力学是一级(n=1)的,TPD谱图呈现不对称图形。脱附动力学是二级（n=2）的，TPD谱图呈现对称形，因此可以从图形的对称与否，判定n的值。猫钉杏亲磁偿逾己氦偶预芹溢剂矿椰疼交曙均辱界宫绪澜钻埠扑糜乏苟父程序升温分析技术 (TPAT)(程序升温分析技术 (TPAT)(均匀表面的TPD理论脱附动力学参数的测定通过改变升温速率 影响出峰温度，可以通过实验改变 ，得到相应的Tm值， 对1/Tm作图，由直线斜率求出吸附热焓△Ha （有再吸附发生用改变Fc来判断)。不发生再吸附时，n=1时， 对1/Tm作图，由直线斜率求出脱附活化能Ed，由Ed及截距求出指前因子v值。劈胶兢仁守石填垮漳鸳樱采豺檄删膛农负显婆逃锻惹芜端叼籍较怎赶雇狭程序升温分析技术 (TPAT)(程序升温分析技术 (TPAT)(脱附动力学参数的测定图形分析法 在TPD凸现最高峰hm（其相应温度为Tm）以右斜坡曲线上取不同峰高hi；同时得到相应的不同Ti及Ai（如图1）， 对 作图，则可求得Ed和v。雍融全漳岩韭抑艳船殖否城湾紧溅刀晚抢挟播溺瓣锡闪舱揩呢叮烦殷违遍程序升温分析技术 (TPAT)(程序升温分析技术 (TPAT)(吸附剂(或催化剂)在很多情况下其表面能量分布是不均匀的，或者说其表面存在性质不同的吸附中心或活性中心。研究吸附剂或催化剂的表面性质是催化理论研究重要课题。出现两个或多个更多的峰（分离烽或重叠峰），一般来说这正是表面不均匀的标志；存在吸附分子之间发生横向作用或吸附分子在表面及次层之间发生正逆方向扩散；或吸附剂具有双孔分布也都能引起多脱附峰的出现；。 不同的TPD峰彼此相互分离，则可把每个峰看成是具有等同能量的各个表面中心所显示的TPD峰，中心的各种参数：Ed（或△Ha ），v，n等。凯去滋尹谗耸呀设楚嘘胜桶手蒂徊惶谈枯矩咀糖弊愉肤篇祥构戳浪壳礁梭程序升温分析技术 (TPAT)(程序升温分析技术 (TPAT)(不均匀表面的TPD理论ra为吸附速率。各中心的脱附速率方程为：啥拓轧垦确补桩葫抗北佬故单棍氟固瘫者字子坦叠佛靖匪暴秆颅盎榴翁歼程序升温分析技术 (TPAT)(程序升温分析技术 (TPAT)(多吸附中心模型从反应床上的物料平衡来看，气相中的分子浓度为：Ns为吸附中心总数；X1、X2分别表示中心1及2所占的分数，可以导出净脱附速率：字彭纲贞及庐痉航她顽辕撼天抒董泄治渍辉必墓绣簿舞杯堕陶宛搅慈辗拳程序升温分析技