量子点体系中自旋相关的量子相干现象.pdfVIP

目录 目 录 摘 要 I Abstract III 第一章 绪论 1 1.1 引言 1 1.2 低维体系介观现象 1 1.2.1 量子点 2 1.2.2 库仑阻塞效应 2 1.2.3 Aharonov-Bohm(AB)效应 2 1.3 Rashba 自旋轨道耦合 3 1.4 格林函数运动方程 4 1.5 论文选题及研究内容 6 第二章 两臂嵌入平行耦合双量子点AB 环体系自旋极化输运性质 7 2.1 引言 7 2.2 理论模型和电导表达式 7 2.3 数值计算和讨论 9 2.4 本章小结 13 第三章 平行耦合四量子点体系自旋相关的Fano 效应 14 3.1 引言 14 3.2 平行耦合四量子点模型及电导 14 3.3 数值计算和讨论 16 3.4 本章小结 19 第四章 三电极双量子点系统中自旋极化输运 20 4.1 引言 20 4.2 三电极双量子点模型及电流 20 4.3 数值计算和讨论 23 4.4 本章小结 27 结 论 28 参考文献 29 摘 要 摘 要 自旋是电子的特性之一，利用电子的自旋可以实现信息的转移、储存和处理。 最近，研究人员在不改变电流的情况下，利用电子的自旋实现磁开关的可逆转性。 这将导致一种全新的、低能的电子器件的诞生。对于这些新奇的物理特性的研究 已成为凝聚态物理中发展的最快的前沿课题。它不仅有着重要的基础研究意义， 也为进一步开发具有新原理、新结构的电子和光电子器件提供指导。本论文采用 非平衡格林函数方法，研究两个平行耦合双量子点体系的输运性质及Fano 效应、 平行耦合双量子点系统与三电极连接时由相干导致的自旋极化电流和自旋积累。 首先，研究两个平行耦合双量子点体系的输运性质。在量子点间无耦合时，发 现电导谱中在ε ε 点会出现反共振峰。利用分子表象，解释了出现反共振峰的原 0 因，即成键态和反成键态提供了两个共振通道，两个通道间的相消干涉会导致反 共振峰的出现。当量子点间存在耦合时，电导谱被分成对称的两组，每一组中出 现了一个反共振峰，反共振峰的位置由量子点间的耦合强度决定，随量子点间耦 合强度的增大，两个反共振峰间的距离变大，反共振峰的位置始终位于ε=−t,t 处。 另外，不同自旋电子的电导谱可以通过Rashba 自旋轨道耦合作用进行调节，尤其 是当Rashba 自旋轨道耦合作用调节到某一恰当值时，一种自旋态的电子允许通过 该装置，而另一种自旋态的电子则禁止通过。该性质可用于设计自旋开关。 其次，研究了平行耦合四量子点体系的自旋相关的Fano 效应。量子点1 和量 子点3 、量子点2 和量子点4 之间的耦合强度取定值, 当量子点1 和量子点2 之 间的耦合强度很小时，对其输运性质基本不产生影响。量子点1 和量子点2 间的 耦合强度增大时，多通道间的量子相干会导致电导谱中出现Fano 峰。当考虑Rashba 自旋轨道耦合相互作用时，不同自旋电子之间的电导均受Rashba 自旋轨道耦合相 互作用调控。 此外，研究了三电极与平行耦合双量子点系统连接时由量子相干导致的自旋 极化电流和自旋积累。研究表明，在 Rashba 自旋轨道耦合相互作用下，当 μ μ μ 时，由于不同路径间自旋相关的量子相干，会导致流过左、右电极 M L R 的自旋极化电流的极化方向相反。当ε μ ， ε+U μ ，(α L,R) 时，自旋 α