Co-ZnO颗粒膜磁电阻效应的研究.pdfVIP

  摘 要 磁电阻效应因其在信息技术领域广阔的应用前景一直是人们研究的焦点。到目前为 止，人们在多层膜和颗粒膜中均观察到了磁电阻效应。在这些多层膜和颗粒膜中的非 磁基体主要是金属和绝缘体，采用半导体作为基体的较少。本文选择 ZnO 半导体作 为非磁基体，设计并采用磁控溅射方法以多层膜形式沉积了 Co-ZnO 颗粒膜，研究了 各种缓冲层以及沉积温度对 Co-ZnO 颗粒膜结构、磁性和磁电阻效应的影响，并对磁 电阻效应的产生机制进行了探究。 在以往有关Co-ZnO颗粒膜的研究中，人们往往通过优化Co和ZnO 的相对含量来 改善薄膜的磁电阻效应。本文中，首先研究了ZnO缓冲层对Co-ZnO颗粒膜磁电阻效 应的影响。通过对未沉积缓冲 层以及沉积不同厚度ZnO 缓冲层的ZnO(0~150 nm)/[Co(0.6 nm)/ZnO(0.7 nm)]10薄膜进行X射线衍射、俄歇电子能谱以及透射电镜的 分析，我们发现：尽管以多层膜形式沉积了[Co(0.6 nm)/ZnO(0.7 nm)]10薄膜，但是它 实际表现为颗粒膜结构，而且由于有无缓冲层以及不同厚度ZnO缓冲层的影响，薄膜 中Co颗粒尺寸各异。因此，薄膜表现为大小不等的金属Co颗粒分散在ZnO半导体基 体中的结构。沉积一定厚度的ZnO缓冲层有利于薄膜磁电阻效应的改善，其中ZnO(100 nm)/[Co(0.6 nm)/ZnO(0.7 nm)]10薄膜的室温磁电阻值高达-13.5% 。 其次，为了进一步探究具有 ZnO 缓冲层的 Co-ZnO 颗粒膜磁电阻效应改善的原 因，设计了无定形的 α-C 作为插层的 ZnO/α-C/[Co(0.6 nm)/ZnO(0.7 nm)]10 薄膜以及 ZnAlO 作为缓冲层的 ZnAlO/[Co(0.6 nm)/ZnO(0.7 nm)]10 薄膜。结果发现：和 ZnO/[Co(0.6 nm)/ZnO(0.7 nm)]10 薄膜相比， α-C 作为插层的 ZnO/α-C/[Co(0.6 nm)/ZnO(0.7 nm)]10 薄膜的磁电阻效应迅速较小，而且 α-C 插层越厚，薄膜的磁电阻 值越小；ZnO 中掺入极少量 Al 作为缓冲层的 ZnAlO/[Co(0.6 nm)/ZnO(0.7 nm)]10 薄膜 的磁电阻效应也迅速较小。综合分析薄膜的结构、磁电阻效应、电阻等，我们发现： 薄膜的磁电阻值与其电阻、Co 的晶粒尺寸密切相关。较小的 Co 颗粒和较高的缓冲 I      层电阻有利于薄膜磁电阻效应的改善。 最后，设计了[Co(0.6 nm)/ZnO(0.7 nm)]10/ZnO/[Co(0.6 nm)/ZnO(0.7 nm)] 10 薄膜， 其中 ZnO 中间层的厚度以及顶、底[Co(0.6 nm)/ZnO(0.7 nm)]10 层的沉积温度可调。 结果发现：随着 ZnO 中间层厚度的逐渐增大，室温沉积的[Co(0.6 nm)/ZnO(0.7 nm)] 10/ZnO/[Co(0.6 nm)/ZnO(0.7 nm)]10 薄膜的磁电阻值表现出振荡现象；一旦在较高 的温度下沉积薄膜，其磁电阻效应、电阻都迅速减小，同时磁电阻曲线在矫顽力处 出现明显的双峰，这是薄膜中 Co 颗粒尺寸增大所引起的。 总之，通过研究 ZnO 、α-C 、ZnAlO 等缓冲层以及沉积温度对 Co-ZnO 颗粒膜磁 电阻效应的影响，发现薄膜的磁电阻效应与其电阻以及 Co 颗粒大小密切相关。本研 究将为理解和分析颗粒膜特别是铁磁金属-半导体颗粒膜的磁电阻效应提供参考。 【关键 词】磁控溅射 Co-ZnO 颗粒膜 磁电阻效应