Design and preparation of low dielectric constant poly (aryl ether ketone) and their composites低介电常数聚芳醚酮及其复合材料的设计和制备.pdf

内容提要 微电子领域的飞速发展，对封装材料的介电性能提出了越来越高的要求，因 此，近些年来利用高性能聚合物材料来替代传统的金属材料或陶瓷材料作为电子 器件的封装或表面涂覆材料受到了广泛的重视。聚芳醚酮（PAEKs ）是一类具有 优异机械性能、良好耐溶剂性、良好尺寸稳定性、良好电性能以及较好热稳定性 的高性能聚合物，使其在航空、车辆、电子等高技术领域都展现出广泛的应用前 景。微电子器件对耐高温封装材料提出了越来越高的要求，因此本论文的工作主 要围绕设计和制备具有优异综合性能的低介电常数聚芳醚酮展开。首先，通过分 子设计，向聚合物中引入低极化率的含氟基团和非极性大体积的金刚烷基团，制 备了含三氟甲基和金刚烷侧基的聚芳醚酮共聚物，考察了金刚烷基团的引入对材 料各项性能的影响。研究表明，单纯向聚合物中引入低极化率的含氟基团或非极 性大体积基团难以制备具有极低介电常数（k 2.0, 1MHz ）的材料。因此，通过 溶液共混，在含氟低介电常数聚合物基体中引入具有多孔结构的杂多酸（PWA ） 纳米粒子，制备了低介电常数聚芳醚酮复合材料。进一步，利用硅烷偶联剂 KH-550 作为桥梁，将 PWA 通过化学键合作用接枝于低介电常数含氟聚合物的 侧链，制备了无机 PWA 纳米粒子与有机聚合物基体相容性更加优异的纳米复合 材料，得到了性能优异的介电常数为 1.96 （1MHz）的复合材料，系统研究了复 合材料的构建机制和性能。为了进一步提高低介电常数纳米复合材料的机械性 能、热性能，我们选取了同样具有空心结构并具有无机-有机混合结构的倍半硅 氧烷（POSS ）作为改性成分，通过不同的分子设计，利用化学键合的方式，将 其引入低介电常数含氟聚芳醚酮基体中，分别制备了介电常数可降至 1.71 和 1.64 （1MHz）的含 POSS 聚芳醚酮纳米复合材料。同时，我们对上述制备的各种材 料的性能进行了详细的研究和讨论，以为其能够作为封装或涂覆材料应用于微电 子领域提供理论和实验基础。 目 录 第一章 绪论1 1.1 引言1 1.2 聚芳醚酮材料简介2 1.2.1 聚芳醚酮材料的发展 2 1.2.2 聚芳醚酮材料的性能 3 1.3 电子封装材料4 1.3.1 电子封装简介 4 1.3.2 电子封装领域的发展 5 1.3.3 低介电常数材料简介 7 1.4 本论文的设计思想24 1.5 参考文献26 第二章 实验部分31 2.1 试验药品及试剂31 2.2 试验仪器及测试方法33 2.2.1 傅里叶变换红外光谱测试（FT-IR ） 33 1 2.2.2 核磁共振波谱测试（ H-NMR ） 33 2.2.3 凝胶渗透色谱测试（GPC ） 33 2.2.4 飞行时间质谱测试（MS ） 33 2.2.5 元素分析测试（Elem. Anal. ） 34 2.2.6 广角 X 射线衍射测试（WAXD ） 34 2.2.7 X 射线光电子能谱测试（XPS ） 34 2.2.8 扫描电子显微镜测试（SEM） 34 2.2.9 热性能测试 34 2.2.10 机械性能测试 35 2.2.11 介电性能测试 35 第三章 含金刚烷基低介电常数 PEEK 的制备与性能研究37 3.1 引言37 3.2 单体及聚合物的合成及表征38 3.2.1 4-金刚烷基苯胺（NH -Ph-Ad ）的合成 38 2 3.2.2 4-金刚烷基苯胺（NH -Ph-Ad ）的结构表征 38 2 3.2.3 含羧基聚芳醚酮（PAEK-CF -COOH ）及含金刚烷侧基聚芳醚酮