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基于AFM单晶硅台阶线边缘粗糙度、顶表面和底表面粗糙度的测量.pdf
第31卷第4期 南京理工大学学报 V01．31No．4
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基于AFM单晶硅台阶线边缘粗糙度、顶表面
和底表面粗糙度的测量
李洪波，赵学增
(哈尔滨工业大学机电学院．黑龙汀哈尔滨150001)
摘要：采用原子力显微镜以TOP．DOWN方式新量单晶硅刻线单侧形貌。提出以单次扫描线
上5个最低测量值的平均值为高度参考点且各条扫描线参考高度在统计意义下相等，校正(原
子力显微镜)AFM压电驱动器高度方向非线性。通过NIST高度算法和直方图方法相结夸确定
样本边缘表面、顶表面和底部表面范围。顶表面和底表面各扫描线的功率谱密度(PSD)、均方
根值(RMS)基本一致。对于边缘粗糙度而言，RMS随测量高度增加而减小；PSD随高度增加主
导额率范围略有降低但变化不明显。
关键词：纳果计量；原子力显微镜；压电驱动嚣；边缘粗裢度；顶表面和底表面粗糙度
701
中图分类号：TH 文章编号：1005—9830(2007)04—0478—04
Line and
RoughnessTop-bottom--surface
Edge Roughness
of
Measurement AFM
Sing／e-·crystal--siliconStepUsing
LI
Hong—bo，ZHAOXue-zeng
instituteof
(Mechanical＆ElectricSchool，HarhinTechnology，Harbin150001，China)
side OHthe ismeasured fore
single—crystaLsilicanbyAFM(atomic
Abstract：sjndetopography step
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