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半导体光电子器件 Semiconductor Optoelectronic Devices （二） * * 半导体激光器的速率方程理论（0维模型） 纵模增益 激光器的纵模（以FP激光器为例） 纵向谐振条件： 纵模间隔： 速率方程 半导体激光器的静态特性 阈值增益 稳态光子速率方程 L-I 特性和光谱特性 量子效率与热载流子泄露 热载流子泄露 微分量子效率 外部微分量子效率： 内部微分量子效率： 端面出光功率 增益饱和 ε：增益压缩因子 高光子密度下： 半导体激光器的温度特性 量子效率随注入电流的变化 阈值随温度的变化 载流子的非辐射复合速率和热载流子泄露均随温度升高而增加，导致阈值电流密度增加： T0: 特征温度 激射波长随温度的变化 一个实例 随注入电流增加，结温升高，导致载流子泄露和非辐射复合速率增加，从而引起量子效率降低。 随注入电流增加，结温升高，导致有源区带隙减小，从而引起激射波长的增大。 1.3um InGaAsP DCPBH LD 输出发散角 分别限制异质结（SCH）激光器 一般情形 模斑变换器（SSC） 典型值： 动态特性 瞬态过程：驰豫振荡和振荡阻尼 时间延迟 增益压缩因子 ε 、自发辐射系数 β 和纵模数目均对激光器的驰豫过程具有阻尼作用 等效电路和调制谱宽 动态单纵模激光器（纵模控制技术） 分布反馈（DFB）激光器 解理耦合腔（C3）激光器 分布布拉格反射（DBR） 激光器 外腔激光器 垂直腔面发射激光器 （VCSEL） DFB 激光器的光谱特性 DFB 激光器的输出谱 均匀光栅的反射谱 λ/4 相移 DFB 激光器 在无镜面反射时： DFB 激光器的纵模 单纵模激光器的基本特性 谱线宽度 线宽增强因子 频率啁啾效应 半导体光放大器（SOA） ASE谱和噪声 基本结构 增益谱 交叉增益调制（串话） 光学非线性 应变层多量子阱（SL-MQW）器件 应变层量子阱 和能带工程 nm级有源层 态密度减小导致高微分增益和极低的阈值。为提高功率限制因子，一般采用多量子阱和分别限制异质结结构。 特点 *
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