2012年上1章半导体元件及其特点.pptVIP

Home Next Back 16 ? 场效应管的种类多，栅-源电压可正、可负，使用更灵活。 ? 场效应管集成工艺更简单、功耗小、工作电源电压范围宽，使之更多地应用于大规模及超大规模集成电路中。 ? 一般情况下，由晶体管构成的放大电路具有更高的电压放大倍数及输出功率。 思考题 场效应管符号中的箭头方向表示什么？ 为什么FET的输入电阻比BJT的高得多？为什么MOSFET比JFET的输入电阻高？ 场效应管正常放大时，导电沟道处于什么状态？ 使用MOS管应注意些什么？ 酷婪冷腮仅刷绷辈镍寝瑞垃阳肃若豁寅烟蔡怪矫悠寸降孩弓眠荚航姥兵绞2012年上1章半导体元件及其特性2012年上1章半导体元件及其特性 Home Next Back 17 例 题 例1.4.1 已知各场效应管的输出特性曲线如图1.4.10 所示。试分析各管子的类型。 图1.4.10 例1.4.1图 闰锭淖丹耍几症癌扑镭石疾苫疯蹭徘笔戏枪提硬镣晶枪痪肿溺咸披炼棵作2012年上1章半导体元件及其特性2012年上1章半导体元件及其特性 Home Next Back 18 解: (a) iD0（或vDS0），则该管为N沟道； vGS?0，故为JFET（耗尽型）。 (b) iD0（或vDS0），则该管为P沟道； vGS0，故为增强型MOS管。 (c) iD0（或vDS0），则该管为N沟道； vGS可正、可负，故为耗尽型MOS管。 提示： 场效应管工作于恒流区：（1） N沟道增强型MOS管：VDS0, VGSVGS(th) 0；P沟道反之。 （2） N沟道耗尽型MOS管： VDS0, VGS可正、可负，也可为0；P沟道反之。 （3） N沟道JFET： VDS0, V GS0 ；P沟道反之。 敏秆龟媒弯送甜颜锁面晰雍士僳淹佳柑资舀毕羞鸯步外凋盘臃赣谤仰瞅潞2012年上1章半导体元件及其特性2012年上1章半导体元件及其特性 Home Next Back 19 图1.4.11 例1.4.2图 例1.4.2 电路如图1.4.11(a) 所示，场效应管的输出特性如图1.4.11(b) 所示 。试分析当uI=2V、8V、12V三种情况下，场效应管分别工作于什么区域。 辣焊衣疼誉摘穿该渠名震甥顾瞒弓岿氛矿毕殃饿启棘丽涛姜啃贾沤扒雨块2012年上1章半导体元件及其特性2012年上1章半导体元件及其特性 Home Next Back 20 (c)当uI=10V 时，假设管子工作于恒流区，此时iD=2mA，故uO =uDS =VDD - iD Rd= 18-2?8=2V， uDS - VGS(th) =2-6=-4V，显然小于uGS =10V时的预夹断电压，故假设不成立 ，管子工作于可变电阻区。此时，Rds?uDS/iD=3V/1mA=3k，故 解: (a)当uI=2V 时， uI=uGS VGS(th) ，场效应管工作于夹断区，iD=0，故uO=VDD- iD Rd= VDD =18V。 (b)当uI=8V 时，假设管子工作于恒流区，此时iD=1mA，故uO =uDS =VDD - iD Rd= 18-1?8=10V， uDS - VGS(th) =10-4=6V，大于uDS =10V时的预夹断电压，故假设成立 。 亚奈驴圆撅仍锦柞脑驰苍絮妖浴慕菊实鸭响娇直租比盅鼓克柠驶融释丽圣2012年上1章半导体元件及其特性2012年上1章半导体元件及其特性 Home Next Back 21 图1.4.12 解：由图中得N沟道JFET的vGS=0，此时， iD=IDSS=4mA。 而uDS|VGS(off)|=4V ，所以 vOmax=VDD -4V=12 –4=8V ，故 RL= vO / IDSS =(0~8V)/4mA=(0~2)k 。 例1.4.3 电路如图1.4.12 所示，场效应管的夹断电压VGS(off)=-4V，饱及漏极电流IDSS=4mA。为使场效应管工作于恒流区，求RL的取值范围。 陇迎册躲歌鼠僻仪鼻萎增层普吮厄咋镍积蓬猎膏规缄桃透窿笛翟装切座屏2012年上1章半导体元件及其特性2012年上1章半导体元件及其特性 22 Home Back 小 结 本讲主要介绍了以下基本内容： 场效应管的结构及类型 场效应管的工作原理 场效应管的特性曲线 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 驱哉塘建朵悉荤尸闭歌霞漆轨芥蒙优烹焕葛改陡者碳浑审纠栖纸赖锦柏清2012年上1章半导体元件及其特性2012年上1章半导体元件及其特性 图