第1章半导体器件(8学时).ppt

2. 发光二极管 1. 共射交流电流放大系数 ? 2. 共射直流电流放大系数 3. 共基交流电流放大系数 ? 4. 共基直流电流放大系数 ? 和 ? 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为： 二、反向饱和电流 1. 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO 2.集电极和发射极之间的反向饱和电流 ICEO（穿透电流） 小功率锗管 ICBO 约为几微安；硅管的 ICBO 小，有的为纳安数量级。 　　当 b 开路时， c 和 e 之间的电流。 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。 三、 极限参数 1. 集电极最大允许电流 ICM 当 IC 过大时，三极管的 ? 值要减小。在 IC = ICM 时， ? 值下降到额定值的三分之二。 2. 集电极最大允许耗散功率 PCM 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 将 IC 与 UCE 乘积等于规定的 PCM 值各点连接起来，可得一条双曲线。 ICUCE PCM 为安全工作区 ICUCE PCM 为过损耗区 IC UCE O PCM = ICUCE 安 全 工 作 区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 过 损 耗 区 3. 极间反向击穿电压 外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。 　　U(BR)CEO：基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。 　　U(BR)CBO：发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。 　　安全工作区同时要受 PCM、ICM 和U(BR)CEO限制。 过电压 IC U(BR)CEO UCE O 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 ICM 过流区 　三极管的安全工作区 例题：判断下面各三极管的工作状态 放大 截止 放大 饱和 上面一排是NPN硅管下面一排是PNP锗管 截止 饱和 放大 放大 1.4　场效应三极管 　　只有一种载流子参与导电，称单极型三极管,利用电场效应来控制电流的三极管，也称场效应三极管，简称场效应管。 场效应管分类 结型场效应管 绝缘栅场效应管 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻很高，功耗极低。 工艺简单、容易集成、体积小、成本低。 （Field Effect Transistor 英文缩写FET ） D S G N 　N 沟道结型场效应管结构图 N型沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 　　导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。 1.4.1　结型场效应管 符号 N 沟道结型场效应管 Junction Field Effeet Transistor (JFET) P 沟道结型场效应管 　P 沟道结型场效应管结构图 N+ N+ P型沟道 G S D P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 　　导电沟道是 P 型的，称P 沟道结型场效应管。 符号 G D S 1.4.2　绝缘栅型场效应管 由金属、氧化物和半导体制成，称为金属-氧化物-半导体场效应管，（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effeet Transistor ） 英文缩写MOSFET 或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 109 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 一、N 沟道增强型 MOS 场效应管 1. 结构 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G （播放Flash课件1-6） S G D B 符号 由金属、氧化物、半导体三种材料组成，英文缩写MOS。 铝膜 二氧化硅 2. 工作原理 绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 ID。 工作原理分析 (1)UGS = 0 漏源之间相当于两个面对面的 PN 结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。 S B D (2) UDS = 0，0 UGS UT P 型衬底 N+ N+ B G S D P 型衬底中的电子被吸引靠近 SiO2 与空穴复合，产生由负