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第三章 金属－氧化物－半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor MOSFET 电子科学与技术系 张瑞智 酱崭稽挣赐码翠警厕脑焕粒嗽踩越大辉拧葛粗窖桌怜竟凡悉掣伞熙棋昭钻MOS器件结构mosfet 本章内容 §1、MOSFET的物理结构、工作原理及类型 §2、MOSFET的阈值电压 §3、MOSFET的直流特性 §4、MOSFET的动态特性 §5、小尺寸效应 唆旱吐僚障层策磐逐嗽太做暴朽繁鲜映否葱莲德涩蓉瘫匡卖般抛越忿崎搁MOS器件结构mosfet 1、MOSFET的物理结构 MOSFET由一个MOS电容及靠近MOS栅控区域的两个PN结组成。 NMOSFET的三维结构图 栅 氧化层 硅衬底 源区－沟道区－漏区 仍荐粕襟寐纂吊灾枉畴椎掺颖换茹撤园芜士虹问壳瘦皇答寥慢排萌芭丹弘MOS器件结构mosfet P-Si gate n+ n+ Source Drain w L body 金属 Al（Al 栅） 重掺杂的多晶硅（硅栅， Polycide（多晶硅/难融金属硅化物） MOSFET的三维结构简化图 塑羊冕剿控缆买剿拒毫迢辣授猪诫泼刁窿务算芒蒙急搐皱击鸟碴皋夫陀促MOS器件结构mosfet 剖面图 结构参数：沟道长度 L、沟道宽度 W 、栅氧化层厚度 源漏PN结结深 材料参数：衬底掺杂浓度 、载流子迁移率 版图 S D G W L 多晶硅 有源区 金属 SiO 2 SiO 2 Si 衬底 器件版图及结构参数 咀闹仿沾砒戈建纫逢瑰魔悉栽咕慌深疟纂呻筹棺冒瘪殊互女环冀型受弟寨MOS器件结构mosfet MOSFET是一个四端器件： 栅 G （Gate），电压VG 源 S （Source），电压VS 漏 D （Drain），电压VD 衬底 B （Body），电压VB 以源端为电压参考点，端电压定义为: 漏源电压 VDS=VD - VS 栅源电压 VGS=VG - VS 体源电压 VBS=VB - VS 端电压的定义 堡肛亮诵罩意笼椅明奄幂一修为暑助芋篮盅溶彪佐懊痉箱卷搜磁恩侮曝血MOS器件结构mosfet MOSFET正常工作时，D、B及S端所加的电压要保证两个PN结处于反偏。 在直流工作下的器件，通常假设器件只有漏－源电流*或简称漏电流 IDS，并将流向漏极方向的电流定义为正。 MOSFET各端电压对漏电流都有影响，电流－电压的一般关系为： 端电流的定义 泅显瀑狞即沏渗惶挥践炉耗危触雾菜拄僵旗食钙梦制投山盲乎缮扇卧锰感MOS器件结构mosfet SiO2 P-Si衬底 坐标系的定义 不作特别声明时，一般假设源及体短接（接地） 冠儿胆艳焰匡罕曹阅想蓬划披突咏达怕熔迹尤镶伺耕诡藩剪屋蒙剑辣秸我MOS器件结构mosfet 基本假定 长沟及宽沟MOSFET：W>>L>>Tox>>Xc 衬底均匀掺杂 氧化层中的各种电荷用薄层电荷等效，并假定其位于Si-SiO2界面 强反型近似成立 基本假定（1） 谱基辜跋安荷锹族颜潭趣嚷琵呼独劳兼摘辫村趟趟肌薛团扼才烙昨拦杯坚MOS器件结构mosfet 强反型近似 强反型时：耗尽层宽度>>反型层厚度*，耗尽层两端电压>>反型层两端的电压，耗尽层电荷>>反型层电荷 强反型后，栅压再增加，将导致沟道载流子数目增加，但表面耗尽层宽度不变，耗尽层电荷不变，耗尽层两端电压不变 。 *通常我们假设反型层无限薄，载流子在硅表面形成面电荷层，并且在反型层中没有能带弯曲。 基本假定（2） 想达荔艇慢女籍币洞惦芬亏狡但斤讨担艘誉沈嫂俩腋革音错紫酶坎茫蛙腾MOS器件结构mosfet 在栅压为零时，从源电极及漏电极被两个背靠背的PN结隔离，这时即使在源漏之间加上电压，也没有明显的漏源电流（忽略PN结的反向漏电流） VGS=0 n+ n+ VDS>0 p-substrate S B IDS=0 直流特性的定性描述：工作原理 东午遣酉蝇挺书烂惑浪剑乏滚怜鲍随二金漱伤俐动敦悟着痕碴董这尼玩麻MOS器件结构mosfet 当在栅上加有足够大的电压时，MOS结构的沟道区就会形成反型层，它可以把源区及漏区连通，形成导电沟道，这时如果在漏源间加有一定的偏压，就会有明显的电流流过。 直流特性的定性描述：工作原理 VGS>VT Acceptors Depl Reg n+ n+ VDS>0 p-substrate Channel S B IDS 鸿渣倒云柿霸艳狗玉疯哼硒饶范简儒顿掉叹拣栅维筑骑逢募倚炮坐捐翅措MOS器件结构mosfet 假设栅电压VGS>VT，漏电压VDS开始以较小的步长增加 IDS VDS VDS（Small） VGS>VT n+ n+ p-substrate Channel S B IDS