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第5章_电容版图设计
第5章 电容版图设计 集成电路版图基础 本章主要内容 CH7 电容匹配 IC电容及其类型 IC电容及其类型 材料 相对介电常数 介电强度（MV/cm） 二氧化硅 干氧氧化 3.9 11 等离子体 4.9 3~6 TEOS 4.0 10 氮化硅 LPCVD 6~7 10 等离子体 6~9 5 寄生电容 Capacitance is everywhere. Everything is “talking” to everything else. 每层互连线都与上一层金属和下一层金属垂直可以减小重叠电容。 电容器件类型 容值受偏压影响大，在CMOS、BiCMOS工艺中很少使用。 MOS电容的下极板是轻掺杂的衬底或N阱，因此有较大的寄生串联电阻，所以应避免使用太长沟道的MOS来制作电容。 MOS电容 PIP电容 结电容和MOS电容都使用扩散区作为下极板。隔离扩散电极的PN结会产生很大的寄生电容并会限制加在电容器上的最大电压。许多CMOS和BICMOS工艺都包含了多层Poly，所以可以使用PIP来制作平板电容。 PIP电容通常都制作在场氧化层上。但是有些设计为了降低电容上极板和衬底的寄生电容，将PIP电容制作在深N+扩散区内，磷的重掺杂加速了LOCOS并生成厚场氧层，降低了电容和下极板和衬底之间的寄生电容。如果将深N+区连接到低阻节点，可以保护电容下极板免受衬底噪声干扰。当工艺不支持深N+或版图规则不允许电容位于深N+顶部时，N阱可以起到类似的屏蔽噪声的作用。 PIP电容 PIP电容制作于N阱上可以起到屏蔽噪声的作用 MIP电容 MIM电容 堆叠电容（三明治电容） 增大了单位面积的容值 Sandwich电容 横向通量电容 本章主要内容 CH7 电容匹配 IC电容及其类型 边缘效应 dummy C1 C1 C1 C1 C1 C1 C1 C1 Better!
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