跟我学设计-器件2.ppt

小功率MOS管是横向导电器件 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）——大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论 电力MOSFET的工作原理 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS 栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面。 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。 1)???静态特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。 MOSFET的漏极伏安特性： 截止区（对应于GTR的截止区） 饱和区（对应于GTR的放大区） 非饱和区（对应于GTR的饱和区） 电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。 电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2)???动态特性 开通过程 开通延迟时间td(on) —— up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段。 上升时间tr—— uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段。 iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。 UGSP的大小和iD的稳态值有关 UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。 开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和。 关断过程 关断延迟时间td(off) ——up下降到零起，Cin通过Rs和RG放电，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小止的时间段。 下降时间tf—— uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGSUT时沟道消失，iD下降到零为止的时间段。 关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和。 MOSFET的开关速度 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。 使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。 MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速。 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 3. 电力MOSFET的主要参数 4)?极间电容 一、扬声器 1.扬声器的种类 (1)按扬声器的工作频率分 (2)按扬声器外形分 (3)按扬声器的驱动方式或能量转换方式分 (4)按扬声器的磁体分 (5)按扬声器音膜分 (6)按声波的辐射方式分 2、常用扬声器 (1)电动式扬声器 电动式扬声器是被广泛采用的一种扬声器。它的特点是电气性能优良、成本低、结构简单、品种齐全、音质柔和、低音丰满、频率特性的范围较宽等。是家用电器中采用最多的一种扬声器。 ① 电动式扬声器的结构：电动式扬声器主要由两大部分组成，即磁路系统和振动系统。振动系统由音圈、纸盆、音圈定位支架组成，磁路系统由环形磁铁、软铁心柱、上导磁板、下导磁板组成。 ② 电动式扬声器的纸盆（音膜）：有布边扬声器、尼龙边扬声器、橡皮边扬声器等。它们的出现意味着纸盆扬声器的新发展。 (2)号筒式扬声器 　3. 扬声器的主要性能指标有：灵敏度、频率响应、额定功率、额定阻抗、指向性以及失真度等参数。 (1)额定功率 扬声器的功率有标称功率和最大功率之分。标称功率称额定功率、不失真功率。它是指扬声器在额定不失真范围内容许的最大输入功率，在扬声器的商标、技术说明书上标注的功率即为该功率值。最大功率是指扬声器在某一瞬间所能承受的峰值功率。为保证扬扬器工作的可靠性，要求扬声器的最大功率为标称功率的2~3倍。 (2)额定阻抗 　扬声器的阻抗一般和频率有关。额定阻抗是指音频为400Hz时，从扬声器输入端测得的阻抗。它一般是音圈直流电阻的1.2~1.5倍。一般动圈式扬声器常见的阻抗有4Ω、8Ω、16Ω、32Ω等。 (3)频率响应　　给一只扬声器加上相同电压而不