Lab1微影制程试验与检测-国立高雄第一科技大学.PDF

微系統製造與實驗─ LAB1微影製程實驗與檢測 Lab1 微影製程實驗與檢測 1.1.實驗目的 以微影製程將光罩圖形轉移至晶圓，並以光學顯微鏡檢測光阻微影結果 1.2.實驗步驟 開始 深層清洗方 法1 JTB-100 溶液清潔 深層清洗- 分為 wafer拆封後之清洗 清洗wafer 深層清洗方 法2 Pirana 溶液清潔 簡易清洗 - 每次使用前之清洗 丙酮 Wafer 異丙醇 Pre-bake 失敗 塗佈光阻 Mask Aligner OM檢視 顯影 軟烤 曝光 成功 硬烤 結束 1.2.1.簡易清洗 每次使用前做簡單之清洗，丙酮可以去除 wafer表面上的有機物質與油脂等；再使用 異丙醇沖洗過 wafer表面，使wafer表面能具親水性，在過DI水清洗時能將丙酮與異丙醇 沖掉，之後以電熱板 120℃烤 5 分鐘，以去除水分，移離烤板後靜置至室溫。 1.2.2. 光阻塗佈 （1）轉速設定分兩段設定 STEP 1 2秒 500RPM 1-1 國立高雄第一科技大學機械系 余志成 © 2007 微系統製造與實驗─ LAB1微影製程實驗與檢測 STEP2 10秒 500RPM STEP3 5秒 5000RPM STEP4 30秒 5000RPM （2 ）塗佈機之操作請參閱手冊 1.2.3.軟烤：以電熱板 90℃，烘烤 90秒 溫 度 設 定 圖 1 電熱烤板 1.2.4.曝光 （1） 將晶圓主切邊與光罩（如下圖）底部之對準線對齊 （2 ） 設定曝光距離(Print gap) 20(μm) ，對準距離(Align gap) 50μm 。 2