MOS管的RGS大于109Ω.PPT

1. 场效应管的特点和分类 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) （2）分类 （1）特点 利用输入回路的电场效应控制输出回路的电流；仅靠半导体中的多数载流子导电（单极型晶体管）；输入阻抗高（107~1012?），噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，功耗小。 2. 结型场效应管 （1）结型场效应管的结构（如图1.4.1所示） 源极S 漏极D 栅极G 符号 P型区 N型导电沟道 图1.4.1 （2）结型场效应管的工作原理（如图1.4.2所示） Home Next Back ① vDS=0时， vGS 对沟道的控制作用 当vGS＜0时， PN结反偏，| vGS |??耗尽层加厚?沟道变窄。 vGS继续减小，沟道继续变窄，当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。对于N沟道的JFET，VP 0。 ② vGS=(VGS(off)~0) 的某一固定值时，vDS对沟道的控制作用 当vDS=0时，iD=0；vDS ? ? iD ?，同时G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时vDS ? ?夹断