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氮化镓薄膜
概述 密度：6.15 g/cm3 高熔点(1700℃) 高硬度 高导热率：4.3 W/(cm·K)(300K) 低介电常数(8.9)，高迁移率 未掺杂呈n型，n≈(1016 ~1018 /cm3) P型(掺Mg，退火) 接触电阻率高 ρ ：10-3-10-1 Ω ·cm2 p电极(Ni/Ag/Ru/Ni/Au) 5.2×10-5 Ω ·cm2 n电极(Ti/Al) 10-6 Ω ·cm2 直接带隙， Eg=3.39eV 测电阻(四探针法) 测膜厚 台阶法 椭圆偏振法 结构检测：XRD，TEM PL谱测量 蓝紫光LED 紫外光光电探测器 高频，高温，高功率电子器件 HVPE(氢化物气相外延生长) 2HCl(g)+2Ga(l)=2GaCl(g)+H2(g) GaCl+NH3=GaN+HCl+H2 (1050℃) MOCVD 嫁源： TMGa N源：NH3 携载气体：H2和N2 温度：1100℃
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