电工学_6.ppt

若输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2，可得： ——方程2 第14章 半导体器件 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 双极型晶体管 14.2 PN结及其单向导电性 14.1 半导体的导电特性 14.6 光电器件 自学 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 物质 导电性能 导体：如金属 半导体：如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等 绝缘体：如橡皮、陶瓷、塑料和石英 14.1 半导体的导电特性 半导体的导电能力受外界因素的影响很大： 对温度敏感 ? 热敏元件 掺杂 ? 半导体二极管、三极管、场效应管、晶闸管等半导体器件 对光照敏感 ? 光电管、光电池等光敏元件 半导体的这些特点是由其原子结构决定的 应用最多的半导体为硅( Si )和锗( Ge )。原子结构图如下： Ge +32 +14 Si +4 价电子 原子对外呈电中性 原子核 正离子 14.1.1 本征半导体 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子 共价键有较强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 每个原子的一个价电子与相邻的另一原子的一个价电子组成价电子对，即共价键结构 晶体中原子的排列方式 本征半导体：完全纯净的、具有晶体结构的半导体。应用最多的本征半导体为硅和锗。 由于常温下束缚电子很难脱离共价键，因此本征半导体中自由电子很少，即没有可以运动的带电粒子（载流子），所以本征半导体的导电能力很弱。 热力学温度零度（T=0K，相当于-273o）时本征半导体中没有自由电子，故不能导电，如同绝缘体。 束缚电子(价电子)一旦获得足够的能量（温度升高或受光照）后，便可挣脱共价键的束缚。这一现象称为本征激发. +4 +4 +4 +4 自由电子 束缚电子 空穴 本征半导体中自由电子和空穴 同时产生， 成对出现，即二者的浓度相等 本征半导体中载流子浓度不仅与材料有关，还与温度密切相关，基本随温度升高按指数规律增加 +4 +4 +4 +4 共有电子填补空穴的运动的结果相当于带正电的空穴在反方向迁移，因此认为空穴是带正电的载流子 价电子脱离共价键后，原子的中性被破坏，由于出现空穴而带正电，会吸引相邻原子的价电子（共有电子）来填补空穴。 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差；一定温度下，载流子（空穴和自由电子）的激发与复合达到动态平衡。温度越高，载流子的数目越多，半导体的导电能力越强。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体的两端加上电压后，在电场力的 作用下，产生的电流由两部分组成： 1. 带负电的自由电子移动产生的电流； 2. 带正电的空穴移动(价电子递补空穴 )产生的电流。 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，又称电子半导体。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，又称空穴半导体。 Negative Positive 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 +4 +4 +4 +4 +5 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑） 多余电子 2、施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同 1、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 N 型半导体中的载流子是什么？ N 型半导体（电子半导体） +4 +4 +4 +4 +3 在硅或锗晶体中掺入少量三价元素，如硼（或铟） 2、受主原子提供的空穴，浓度与受主原子相同 1、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 P 型半导体中的载流子是什么？ P 型半导体（空穴半导体） － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 呈电中性 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。 杂 杂 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 1. 在杂质半导体中多子的数量与