第2-2章 三极管_场效应管.ppt

结型场效应管 各类场效应管的特性曲线比较 N 沟 道 P 沟 道 2.4 场效应管的主要参数管 2.4.1直流参数 2.4.2交流参数 2.4.3极限参数 场效应管的主要参数 直流参数： 1. 开启电压VT （增强型参数） 2. 夹断电压VP （耗尽型参数） 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 夹断电压是耗尽型FET的参数，当vDS为某一固定值，使漏极电流为零时的vGS称为夹断电压VP 。 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 当VGS=0时，VDS|VP|时所对应的漏极电流。 MOS管由于栅极绝缘，所以其输入电阻非常大，理想时可认为无穷大。 交流参数： 1. 输出电阻rds 低频互导指漏极电流变化量与栅压变化量的比值，代表转移特性曲线的斜率。 当不考虑沟道调制效应时，在线性放大区rds→∞ 2. 低频互导gm 5.1.5 MOSFET的主要参数 低频互导gm 考虑到 则 其中 对于N沟道增强型MOSFET ： 极限参数： 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 3. 最大漏源电压V（BR）DS 4. 最大栅源电压V（BR）GS 最大耗散功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。 场效应管使用时的注意点 N衬底接高电位，P衬底接低电位。当源极电位很高或很低时，为减轻源衬电压对管子性能的影响，可将源极与衬底相连。 FET的源极和漏极可互换，但当源已与衬底相连时不能互换。 由于FET的输入电阻很大，易产生静电击穿，无论在存放和使用时，都不能将栅极悬空。同时，焊接时电烙铁需有外接地线，以屏蔽交流电场，防止损坏管子。 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型，PNP型 C与E不可倒置使用 结型耗尽型： N沟道 P沟道 MOS增强型： N沟道 P沟道 MOS耗尽型： N沟道 P沟道 D与S可倒置使用 载流子 多子、少子均参与导电 多子参与导电 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流 电压控制电流 BJT与FET的比较 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 受温度影响较小，有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适合于大规模和超大规模集成 BJT与FET的比较 * * * * * * * * * * P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： 2.2 结型场效应管 2.2.1 结型场效应管的结构 2.2.2 结型场效应管的工作原理 2.2.3 结型场效应管的特性曲线 # 符号中的箭头方向表示什么？ 2.2.1 结型场效应管的结构 在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 2.2.2 结型场效应管的工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 ② vDS对沟道的影响作用 当vGS=0时， vDS? ? iD ? g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? iD基本不变 ? ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， iD的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 (b) N沟道结型FET 转移特性曲线 N沟道结型FET 输出特性曲线 在放大区： 2.2.3结型场效应管的特性曲线 1. 输出