半导体存储器的特点是.PPT

主讲教师 丁纪凯 存储系统和结构 本章要点 存储系统是以程序存储和程序控制的电子数字计 算机的重要的不可或缺的主要组成部分，本章论述 了存储系统的组成、主存的组织与操作、存储系统 的层次结构和高速缓冲存储器和虚拟存储器。 4.1 存储系统的组成 4.2 主存的组织与操作 4.3 存储系统的层次结构 4.4 高速缓冲存储器 4.5 虚拟存储器 4.1.2 主存 1、 半导体存储器的特点是： ① 速度快、存取时间可为ns级； ② 集成化，存储单元所占的空间小，用来寻找存储单元地址的译 码电路和数据、地址缓冲寄存器以及存储单元都制作在同一芯片中， 体积特别小； ③ 非破坏性读出，特别是半导体静态存储器，读操作不破坏原来 的信息，而且不需要再生，既缩短了读写周期，又简化了控制操作。 ① 静态RAM （ SRAM） ● SRAM的基本电路是利用半导体触发器的两个稳定状态表示“1” 和“0”，最简单的TTL电路组成的SRAM是由两个双发射极晶体管和 两个电阻构成的触发器电路； 典型的单极型SRAM是由6个 MOS管组成的双稳态触发电路。 ● SRAM的特点 只要电源不撤除，写入SRAM的信息将不会消失； 不需要刷新电路； 一经写入可多次读出，读出时不破坏原存信息； 功耗较大，容量较小，但存取速度较快。 （2）DRAM ◆ DRAM的特点 DRAM的每个存储单元所需的MOS管较少，DRAM的集成度较高； 功耗低； DRAM中的信息一般信息保存时间为2ms左右，保存DRAM中的信 息，每隔1~2ms要对DRAM中所有的存储单元刷新一次，即对 其中存放的信息进行再生，采用DRAM的计算机必须配置刷新电路。 DRAM的DRAM一般微机系统中的内存都采用DRAM。 ① 掩膜ROM 存储单元中的信息由ROM制造厂在生产时一次性写入的。 3. 闪速存储器 Flash Memory芯片借用了EPROM结构简单的特点，又吸收了 E2PROM电擦除的特点。 具有整块芯片电擦除和部分电擦除的特点、耗电低、集成度高 、体积小、可靠性高、无需后备电池、可重新改写、重复使用性 好（至少可反复使用百万次以上）等优点。 Flash Memory的访问时间可低至70ns，比硬盘驱动器快50~200倍 ，平均写入时间低于0.1秒。由于没有机械运动部件，所以抗震能 力比硬盘驱动器强10倍 。 必须指出：采用闪存的闪盘属于辅助存储器。 4.2 主存的组织与操作 虚线框内为内存储器，由半导体存储器组成。 MB： 存储体，是存储单元的集合体。 M位地址线：用来指出所需访问的存储单元的地址（2M ）， N位数据线：用来在CPU与内存之间传送数据信息， 控制线：用来协调和控制CPU与内存之间的读写操作。 4.2.2存储器中的数据组织 ● 大端存放格式 最高8位信息存放在最低地址24300H，16位或32位存储字的地址 指向最高8位数据的存储单元。在Motorola680X0系统采用这种格式。 例如， 32位存储 存放在内存中的情况如图所示。 4.2.3 半导体存储器的主要技术指标 2. 存储速度 存储器的存储速度可以用两个时间参数表征： 存取时间TA：定义为从启动一次存储器操作，到完成该操作所经 历的时间。 存储周期TMC：定义为启动两次独立的存储器操作之间所需的最小 时间间隔。 通常存储周期TMC略大于存取时间TA。存储速度取决于内存储器的 具体结构及其工作机制。 4. 性能/价格比 性