第二章充电法和自电法.pptVIP

* * 第二章 充电法和自然电场法 § 2-1充电法 以人工供电（或称充电）体相对周围介质呈理想良导体为物质基础，通过观测和研究向目标体供电后的人工电流场在充电体周围的分布规律，达到查明充电目标体的空间分布和某些地质现象为目的的一种电法勘探方法。 属传导类、主动源直流电法 充电法的基本原理 1. 理想导体： 所谓是指导体本身的电阻率为零。 其特征 ①该导体位于一般导电介质中，向其导体上任何一部位接通外加电源供电时（充电），导体均为电压等位体；电流遍及整个导体，无电位降，而后垂直表面流向周围介质之中。 ②理想导体的充电场（在介质中的电流场），与充电点的位置无关，仅与充电电流强度，理想导体的位置，形状，大小，产状及周围介质的电性分布有关。 ③若围岩为均匀电性介质，其空间等位面分布与充电导体形状相似；其相似程度与相距充电体的距离成反比。对有限三度体不论其外形如何，若相距充分大的条件下，其电位等值面趋于球形分布。 2. 下半空间介质中理想导体充电场的分布 对于半空间界面对电流场的影响，一般的采用近似镜像法，即：采用全空间充电场的二倍方式研究电流场的分布规律——简单加倍法（条件 ） 。 （1）边值问题 （2）充电球体的电流场 　（a）电流场表达式 设：球体半径为r0，中心埋深为h0，球心地面投影 点为坐标原点。 由于球体的对称性，其充电电流场的球体外分布与位于球心的点电流场没有区别（条件r0/h00.5）。利用简单加倍法 ，由高斯公式有： 沿X方向的电位梯度为： （b）电流场分布规律 ①平面分布规律 地面等位线方程为 一簇同心圆，(x0,y0) 点处为极大值 。 ②剖面分布规律 在主剖面上，电位曲线成轴对称正异常，球心投影点处为极大值，两侧电位对称减小趋于零；电位梯度曲线成左正右负点对称异常，球心投影点处为零，两侧电位梯度绝对值对称减小趋于零； 旁侧剖面上，其电位和电位梯度的分布与主剖面相似，但其强度减弱，范围变大。 (c)　球体中心埋深计算式 利用主剖面上的电位曲线的半极值弦长q和电位梯度曲线的极值点水平间距p，估算球体中心埋深 （3）椭球体的电流场 这是具有普遍意义的地质体模型。设三轴半径分别为：a，b，c。若 a=b=c，为球体；a?b=c，为水平圆柱体； a=b?c，为脉（板）状体。 （a）电流场表达式 设：坐标原点位于椭球体的中心，x，y，z坐标轴分别与3个半径重合。 椭球体表面方程为 求解椭球坐标系的拉普拉斯方程，得出 t0为M点的椭球坐标，若M的笛卡尔坐标（x，y，z），则t0为方程 的最大实根。 （b）电流场分布规律 ①平面分布规律 由电位式可知：t0=常数，则U=常数。故，等位面方程为： t0=常数 地表电位等值线呈同心椭圆曲线。 在椭球体附近，椭圆曲线的长短轴之比和椭圆率分别为： 与椭球导体的水平截面相近 ，电位等值线基本上反映了充电椭球体的形状、产状和空间位置。 但随着远离充电椭球体，电位等值线趋于圆形。 ②剖面分布规律 若充电椭球体在地下成轴对称分布，则主剖面上，电位曲线成轴对称正异常分布，椭球体的中心投影点处为极大值，两侧对称减小趋于零。水平椭球体的异常范围比直立椭球体的异常范围大。 对倾斜分布的充电椭球体，其电位异常呈现非对称分布，倾斜一侧异常曲线变缓，电位梯度曲线在倾斜一侧异常极值幅度变小。 不论是对称分布的、还是倾斜分布的充电椭球体，其剖面异常的电位异常曲线的拐点和电位梯度曲线的极值点基本上反映了地下充电体的地面水平投影边界。 3. 非等位导体的充电电场 所谓非等位导体，是指充电导体电阻非零，被充电后，在其内部将产生电位差。从而外电场分布除受围岩介质电性，充电体形状、产状、大小、及充电流强度等因素影响外，还与充电体的电阻率和充电点位置有关。 主剖面上的异常特征： （1）充电点在地表投影处，为电位曲线极大值，电位梯度零值点； （2）充电点不对称导体几何形状，非对称导体 电位和电位梯度仅与理想导体相似，在充电点处强度最强，随着远离充电点其强度减弱。并在外侧电位曲线变化陡，相应位置处电位梯度曲线出现极大值；内侧电位曲线相对较缓，电位梯度曲线有两个极小值，最外侧的极小值和零点外侧极大值分别大致为充电体的边部地面投影位置。 （3）充电体对称，充电位置对称于导体的几何形状 充电电流场呈对称分布，并与理想导体条件的电流场分布相近，但其电场分布值和变化率与充电导体的电阻率有关。 强调：若地表不水