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第8章 半导体三极管及基本放大电路 【学习目标】 1）了解三极管的结构、分类，掌握三极管电流分配和放大作用； 2）掌握三极管的输入特性和输出特性； 3）了解三极管的常用参数； 4）理解基本放大电路的组成和工作原理； 5）理解具有稳定工作点的放大电路的工作原理； 6）了解场效应管的分类、结构、工作原理及特点。 【能力目标】 1）掌握三极管三种工作状态的判断； 2）掌握共射极单管放大电路的分析和计算； 3）掌握具有稳定工作点放大电路的分析和计算； 4）会用万用表对晶体二极管、三极管进行简单判别； 5）能够独自完成共射极放大电路的测试实验。 8.1 半导体三极管 1.半导体三极管的结构 半导体三极管又称为晶体三极管。它是在硅（或锗）上利用光刻、扩散等工艺制成。结构如图。 半导体三极管的分类： 按结构分，有NPN型三极管和PNP型三极管； 按半导体的材料分，有硅三极管和锗三极管； 按功率大小分，有大、中、小功率管； 按工作频率分，有高频管和低频管； 按作用分，有放大管和开关管等等。 2.半导体三极管的电流分配与放大作用 要使三极管具有电流放大作用必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置的外部条件。 三极管在放大电路中的三种连接方式，即共基极、共发射极、共集电极。如图所示。 NPN型三极管共射极放大电路如下图所示，其中电源UBB和UCC保证了发射结正向偏置和集电结反向偏置。 (1)载流子的运动 1）发射区向基区注入载流子 2）电子在基区扩散和复合 3）电子被集电区收集 三个电极的电流分别为： 2）集电极电流IC与基极电流IB的关系： 3.晶体三极管的特性曲线 三极管放大电路具有的电流、电压放大作用，其能量都来自外加的直流电源，三极管本身是不能产生能量的，它只是起了“以小控大”的能量控制作用。 【三极管输入特性曲线测试电路图】 【当uCE=0时，测试电路的等效电路图】 【三极管共发射极输入特性曲线】 (2)输出特性曲线 三极管的发射极输出特性曲线是指iB为一定值时，输出电流iC与输出电压uCE的关系曲线，函数表达式为： 三极管的输出曲线可以划分为三个区域： （1）截止区 一般习惯上把iB=0的那条曲线以下的部分称为截止区。 （2）放大区 发射结正向偏置、集电结反向偏置的区域称为放大区。 （3）饱和区 三极管发射结、集电结均处于正向偏置。 三种状态的条件和特点见列表。 (3)温度对三极管特性的影响 温度升高时，三极管的输入特性曲线左移；三极管的β输出曲线向上移动；三极管的会增大。在输出曲线上表现为各条曲线间的距离随温度升高而增大。 4.晶体三极管的参数 1）共发射极直流电流放大系数 指在共射电路中，无输入信号时，在一定uCE下，三极管的集电极电流与基极电流的比值。当IC ? ICEO时，直流电流放大系数: 2）共发射极交流电流放大系数β 指在电路中，在一定uCE下，集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，即 。三极管工作在输出特性曲线的线性区时，可认为 。 3）集电极－基极反向饱和电流ICBO 指发射极断路时，集电极、基极间的反向饱和电流。 4）集电极－发射极反向饱和电流ICEO 指基极断路时，集电极、发射极间的穿透电流，它是ICEO 的 倍，即 。 5）集电极最大允许功耗PCM 这个参数决定于管子的温升，使用时不能超过，而且要注意散热条件。硅管最高允许结温为150℃，锗管最高允许结温只能达到70℃。若一个管子 PCM 的已确定，则由 可知临界损耗时 IC 和 UCE，在输出特性上的关系为一双曲线。 6）集电极最大电流 当集电极电流IC超过一定数值后，β会明显下降，此值就称为集电极最大电流ICM。 7）反向击穿电压 当基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压-U(BR)CEO，一般为几十伏。 当发射极开路时，集电极与基极之间所能承受的最高反向电压-U(BR)CBO ，通常比-U(BR)CEO大些。 当集电极开路时，发射极与基极之间所能承受的最高反向电压-U(B