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Chap 2 氧化oxide 本章重点： 1、 用途 2、 氧化方法 3、 质量监测 SiO2层的特点： l?能紧紧地依附在硅衬底表面，具有良好的化学稳定性和电绝缘性。 l??对某些杂质能起到掩蔽作用。 l??极易溶解于氢氟酸中，而在其它酸中稳定。 2.1 SiO2的结构和性质 一、结构 1.?结晶型和非结晶型（无定形）两种 2.基本单元：Si-O四面体，中心是硅，四个顶角上是氧原子，为两个硅原子所共有。（结构见书图） 3. 连接两个Si-O四面体的氧称为桥键氧，只有一个Si-O四面体的氧称为非桥键氧。 3.无定形SiO2的强度应是桥键氧数目与非桥键氧数目之比的函数，桥键氧数目越多，则网络结合的就越紧密，否则就越疏松。 4.在无定形SiO2网络中，硅在SiO2中的扩散系数比氧的扩散系数小几个数量级。在热氧化法制备的过程中，是氧或水汽等氧化剂穿过SiO2层，到达Si- SiO2界面，与硅反应生成SiO2 ，而不是硅向SiO2外表面运动，在表面与氧化剂反应生成SiO2 二、二氧化硅的性质 1.密度与折射率 2. 耐腐蚀性 二氧化硅膜的化学稳定性极高，不溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不起作用。氢氟酸腐蚀原理如下： ? 六氟化硅溶于水。 利用这一性质作为掩蔽膜，光刻出IC 制造中的各种窗口。 3. 二氧化硅膜的掩蔽性质 B、P、As等杂质在SiO2的扩散系数远小于在Si中的扩散系数。DSi DSiO2 SiO2 膜要有足够的厚度。杂质在一定的扩散时间、扩散温度下，有一最小厚度。 4. 二氧化硅膜的绝缘性质 热击穿、电击穿、混合击穿： a.最小击穿电场（非本征）－－针孔、裂缝、杂质。 b.最大击穿电场（本征）－－厚度、导热、界面态电荷等；氧化层越薄、氧化温度越高， 击穿电场越低。 c.介电常数3～4（3.9） 三、 用途 1.扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层 二氧化硅对杂质扩散起到掩蔽作用，利用这个性质结合光刻工艺，就可以进行选择性扩散。 这种掩蔽作用是有条件的。随着温度升高扩散时间延长，杂质也有可能会扩散穿透二氧化硅膜层，使掩蔽作用失效。因此二氧化硅膜起掩蔽作用有两个条件(1)厚度足够；（2）所选杂质在二氧化硅中的扩散系数要比在硅中的扩散系数小得多。 2.器件和电路的保护或钝化膜 在硅片表面生长一层二氧化硅膜，可以保护硅表面和P-N结的边缘不受外界影响，提高器件的稳定性和可靠性。同时，在制造工艺流程中，防止表面或P-N结受到机械损伤和杂质玷污，起到了保护作用。另外，有了这一层二氧化硅膜，就可以将硅片表面和P-N结与外界气氛隔开。降低了外界气氛对硅的影响，起到钝化作用。但是，钝化的前提是膜层的质量要好，如果二氧化硅膜中含有大量纳离子或针孔，非但不能起到钝化作用，反而会造成器件不稳定。 3.某些器件的重要组成部分 (1)MOS管的绝缘栅材料 在MOS晶体管中，常以二氧化硅膜作为栅极，这是因为二氧化硅层的电阻率高，介电强度大，几乎不存在漏电流。但作为绝缘栅要求极高，因为Si-SiO2界面十分敏感（指电学性能）， SiO2层质量不好，这样的绝缘栅极就不是良好的半导体器件。 (2)电容器的介质材料 集成电路中的电容器是以SiO2作介质的，因为SiO2的介电常数为3-4，击穿耐压较高，电容温度系数下，这些性能决定了它是一种优质的电容器介质材料。另外，生长二氧化硅方法很简单，在集成电路中的电容器都以二氧化硅来代替。 4.集成电路中的隔离介质 集成电路中的隔离有P-N隔离和介质隔离两种，而介质隔离中的介质就是二氧化硅。因为SiO2介质隔离的漏电流很小，岛与岛之间的隔离电压较大，寄生电容较小。因此，用二氧化硅作介质隔离的集成电路的开关速度较好。 5.用于电极引线和硅器件之间的绝缘介质 在集成电路制备中，电极引线和器件之间，往往有一种绝缘材料，工艺上大多采用二氧化硅作为这一层绝缘材料，使得器件之间，电极引线之间绝缘。 2.2 SiO2的掩蔽作用 一、杂质在二氧化硅中的存在形式 1.本征二氧化硅：网络体中，只有硅和氧两种元素的SiO2，即不含杂质的SiO2 2.非本征二氧化硅：在器件制造中，往往掺入某些杂质，这样形成的SiO2 3.按杂质在网络中所处位置可分为两类：网络形成者和网络改变者。 （1）网络形成者：可以替代网络中硅原子的杂质。其离子半径与Si相近。 （2）网络改变者：存在于二氧化硅网络间隙中的杂质。一般是以离子形式存在于网络中，其离子半径大，替代硅的可能性很小。 网络改变者往往以氧化物的形式进入二氧化硅中，进入网络之后便离化，并把氧离子