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MOS管学习笔记 主要内容 MOS管的种类及结构 MOS管的工作原理 MOS管的主要参数 MOS管的驱动 MOS管的种类及结构 MOS管的全称是：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管） MOS管的工作原理 MOS管的主要参数 如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态 EAS：单次脉冲雪崩击穿能量，说明MOSFET所能承受的最大雪崩击穿能量 IAR：雪崩电流 EAR：重复雪崩击穿能量 MOS管的驱动 开关管导通时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使栅源电压上升到需要值，保证开关管快速开通且不存在上升沿的高频震荡。 开关管导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源间电压保持稳定使其可靠导通。 关断瞬间驱动电路能提供一个低阻抗通路供MOSFET栅源间电压快速泻放，保证开关管能快速关断。 关断期间驱动电路可以提供一定的负电压避免受到干扰产生误导通。 驱动电路结构尽量简单，最好有隔离 。 （2）有隔离变压器互补驱动电路 优点： 电路简单可靠，具有电气隔离作用。当脉宽变化时，驱动的关断能力不会随着变化。 该电路只需一个电源，隔直电容C的作用在关断时提供一个负压，从而加速了功率管的关断，有较高的抗干扰能力。 缺点： 输出电压幅值会随着占空比变化而变化。 当D较小时，负电压较