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存储器的层次结构 PCB (Printed Circuit Board)印制线路板结构 存储器功能示意图 半导体存储器分类 DRAM的分类 从接口标准上可以分为：SIMM、DIMM 从外观上可以分为：30线、64线、72线、100线、144线、168线、200线和卡式、插座式。 按工作方式可以分为：FPM、EDO、SDRAM、RDRAM、DDR 从整体性能上可以分为：普通（无任何特殊功能）、带校验（自动检错）、带纠错（自动纠错）三种。 2.3 内存储器 1 主内存的发展历程 2内存特点及结构 3 内存的分类 4 内存的性能指标 5内存的技术规范 6 内存的识别与选购 2.3.6 内存的识别与选购 内存的识别 IBM BM NEC uPD Hitachi（日立） HM Toshiba（东芝） TC或TD Micron（美光） MT Motorola（摩托罗拉） MCM Fujitsu（富士通） MB Samsung（三星） KM或M Siemens（西门子） HYB Hyundai（现代电子） HY 厂商名称 代号 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 位数 XX XX X X X X XX XXX X XX HY 编号 第一位：HY代表该产品是现代的产品。 第二位：代表内存芯片类型。 第三位：代表内存工作电压。 第四位：代表芯片密度和刷新速度。 第五位：代表芯