试验二NMOS与PMOS之直流特性.DOC

實驗九 NMOS 與 PMOS 之直流特性 零件 VP2410L，VN2410L 1k 一枚； 精密電阻 51?? 一枚； 冷卻劑； 電熱吹風機（請自備）。 目的 1. 瞭解NMOS與PMOS之直流操作特性，並比較他們的異同。 2. 測試操作特性的溫度效應。 相關背景知識 1. MOSFET的操作原理及分類。 2. NMOSPMOS的直流電流電壓特性。 VN2410L的說明： 這個實驗所用到的MOSFET編號是VP2410L和VN2410L，前者是PMOS，NMOS電晶體，他們的接腳圖請查閱元件資料庫的網頁。我們使用的這兩種電晶體源極（source）已經和基板（substrate）連在一起，也有一些其他的電晶體源極（source）和基板（substrate）沒有連在一起，我們可以根據需要來選擇用哪一個電晶體。 這次實驗所使用的MOSFET都是加強型的（enhancement），在VGS=0時，他們應該是在截止區（OFF），即源極（source）和汲極（drain）間不導通。 程序 一、MOS中之二極體 我們這裡要利用實驗五的方法（程序3的動態特性曲線測試）來測試PMOS和NMOS中D（汲）極和基板間二極體的特性。測量方法示意圖如下： 1. 我們先選一個PMOS來測試，閘極和源極連在一起以避免閘極浮接效應（floating gate effect），然後測量汲極與基板間pn接面的IV特性，即把上面測量方法圖中的待測元件換成圖中的PMOS電路。記錄示波器上的圖形，逆向偏壓時的崩潰電壓多大？ 2. 對NMOS重複上面步驟。請注意PMOS和NMOS的偏壓方向有何不同？ 二、臨界電壓 這裡介紹一個簡易測試MOSFET臨界電壓的方法。對加強型NMOS而言，所謂的臨界電壓是指VGS大到剛好將電晶體啟動(turn on)的值，通常記做VT或Vth。在on狀態的MOS，又依在靠近汲極的通道是否有載體存在，分為歐姆區（是）及飽和區（否）。假如將一個加強型MOS的G和D極短路，外加DS偏壓，則MOS只會在截止(cut off)或飽和兩個狀態，而不可能進入歐姆區（為什麼？）。 1. 動態測量NMOS的臨界電壓 將NMOS接成如右圖電路，代替上面程序一中AB間的電路。 調整訊號產生器的DC offset使得NMOS的VDS0。 調整好以後，你可以在示波器看到類似下面的曲線，開始導通的電壓就是臨界電壓。將圖形記錄下來。 再來接著測試溫度的影響。先用熱風槍加熱MOS，觀察圖形的變化，你是否可看出臨界電壓及k(transconductance parameter)的變化?再用冷卻劑將MOS冷卻，記錄變化。 2. 動態測量PMOS的臨界電壓 將步驟1中的NMOS以PMOS取代，同樣將G和D短路，重複步驟1。注意這裡VDS必須調成小於0。 3. 直流測量NMOS的k與VT 這裡要用DVM（數位電表）仔細的測量電流及偏壓。 電路如右圖，VDD由直流電源供應器提供，由0V慢慢增加，利用DVM測R的端電壓可得電流ID，VGS =VDS也可利用DVM量得，紀錄ID對VGS之關係。測到電流為20mA為止。 先畫出ID對VGS之關係，再以(ID)1/2對VGS做圖，是否為一條直線？由其x軸的截距即可得到VT，由斜率可推知k。 4. 直流測量PMOS的k與VT 這裡對PMOS重複步驟3的實驗，注意電源的接法和NMOS不同。 三、NMOS的輸出特性曲線 1. 這裡是要量測在不同閘極偏壓（VGS）下IDS對VDS的關係。將程序1動態量測圖中AB間之待測元件用右圖電路代替。VGS利用直流電源供應器提供（注意：電源供應器的接地要拿掉！！），由0V掃到3V，每隔0.2V（必要時你可以用其他的間隔）記錄IDS對VDS的圖形（包括每一軸的單位），把他們畫在一起，可得到類似下面圖形。 注意！調整訊號產生器的DC offset使得VDS均為正的。 IDS 2. 選取一個有明顯IDS輸出的VGS，在示波器上觀察IDS對VDS曲線（例如上圖之曲線甲），利用液態氮或電熱吹風機改變IC的溫度，記錄IDS-VDS曲線對溫度的變化。 四、PMOS的操作曲線 選擇一個PMOS，重複程序四裡的步驟1及2。但步驟1的VGS 、VDS 五、線性區的特性 1.對於NMOS而言，VGS必須大於VT，D極和S極間才開始導通。當VDS很小時，D極和S極間像是一個電阻（電阻值由VGS控制），在此操作區間，IDS和VDS成正比，故稱為線性區或歐姆區。這個實驗是要在線性區內，固定一個小的VDS值，觀察IDS對VGS的關係。 測試電路圖如右： 訊號產生器的範圍設在0-5V間，用來提供VGS，接到示波器的X軸。在S極和接地間串聯一個51?的小電阻，用來將IDS轉換為電壓訊號（Vy=IDS×51?）接到示波器的Y軸輸