实验五十PN结正向压降与温度关系的研究和应用.PDFVIP

实验五十 PN 结正向压降与温度关系的研究和应用 一、前言 早在六十年代初，人们就试图用 PN 结正向压降随温度升高而降低的特性作为测温元件，由于当时 PN 结的参数不稳定，始终未能进入实用阶段。随着半导体工艺水平的提高以及人们不断地探索，到七十年代 时，PN 结以及在此基础上发展起来的晶体管温度传感器，已成为一种新的测温技术跻身于各个应用领域了。 众所周知，常用的温度传感器有热电偶、测温电阻器和热敏电阻等，这些温度传感器均有各自的优点， 但也有它的不足之处，如热电偶适用温度范围宽，但灵敏度低、线性差且需要参考温度；热敏电阻灵敏度 高、热响应快、体积小，缺点是非线性，这对于仪表的校准和控制系统的调节均感不便；测温电阻器如铂 电阻虽有精度高、线性好的长处，但灵敏度低且价格昂贵；而 PN 结温度传感器则具有灵敏度高、线性好、 热响应快和体小轻巧等特点，尤其是温度数字化、温度控制以及用微机进行温度实时讯号处理等方面，乃 是其它温度传感器所不能相比的，其应用势必日益广泛。目前结型温度传感器主要以硅为材料，原因是硅 材料易于实现功能化，即将测温单元和恒流、放大等电路组合成一块集成电路。美国 Motorola 电子器件 公司在 1979 年就开始生产测温晶体管及其组件，如今灵敏度高达 100mV/℃、分辨率不低于 0.1℃的硅集 成电路温度传感器也已问世。但是以硅为材料的这类温度传感器也不是尽善尽美的，在非线性不超过标准 值 0.5％的条件下，其工作温度一般为－50℃～150℃，与其它温度传感器相比，测温范围的局限性较大， 如果采用不同材料如锑化铟或砷化镓的 PN 结可以展宽低温区或高温区的测量范围。八十年代中期我国就 研制成功以 SiC 为材料的PN 结温度传感器，其高温区可延伸到 500℃，并荣获国际博览会金奖。自然界有 丰富的材料资源，而人类具有无穷的智慧，理想的温度传感器正期待着人们去探索、开发。 二、实验目的 1.了解 PN 结正向压降随温度变化的基本关系式。 2.在恒流供电条件下，测绘 PN结正向压降随温度变化曲线，并由此确定其灵敏度和被测 PN 结材料的 禁带宽度。 3.学习用 PN 结测温的方法。 三、实验原理 理想PN结的正向电流I 和压降V 存在如下近似关系式。 F F I I qV kT exp( ) , (1) F s F 其中q为电子电荷；K为玻尔兹曼常数；T为绝对温度；IS为反向饱和电流，它是一个和PN结材料的禁 带宽度以及温度等有关的系数，可以证明 r exp[I CT(0) qV] −kT , (2) s g 其中C是与结面积、掺杂浓度等有关的常数；r也是常数（见附录）；Vg （0）为绝对零度时PN结材料的导带 底和价带顶的电势差。将（2）式代入（1）式，两边取对数可得 k c kT (0) ( lnV )V − ln=− TT + V V r ,