快速热退火对SPV法测试氧化硅片中铁的影响.PDF

半导体技术 2007 年02 期 快速热退火对SPV 法测试氧化硅片中铁的影响 杨富宝 （杭州士兰集成电路有限公司， 杭州 310018 ） 摘要：本文研究了快速热退火（RTA）对SPV 法测试氧化硅片中铁的影响。结果表明，氧化硅片在 1100℃ 的条件下快速热退火3 分钟后，SPV 测出的铁含量数据大幅度地减小。由恒定表面源扩散的杂质分布函数 可知，由于RTA 的均匀化作用，氧化硅片表层的铁浓度显著低于氧化过程刚结束时硅片表层的铁浓度。根 据SPV 测试理论，从硅片表面到少数载流子产生处这一区域的铁浓度最终决定了铁含量的测试结果，即硅 片表层的铁含量代表了整个硅片的铁含量。因此，氧化硅片经RTA 处理后， SPV 测出的铁含量数据大幅度 地减小。 关键词：快速热退火（RTA ）；SPV；少数载流子；氧化硅片；铁含量 Effect of Rapid Thermal Annealing on the Measurement of Iron in Oxidized Wafers with Surface Photo-Voltage (S