SI1013R-T1-GE3;SI1013X-T1-GE3;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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2017-10-16 发布于浙江
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SI1013R-T1-GE3;SI1013X-T1-GE3;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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Si1013R/X Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () ID (mA) • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition 1.2 at VGS = - 4.5 V - 350 • High-Side Switching - 20 1.6 at VGS = - 2.5 V - 300 • Low On-Resistance: 1.2  2.7 at VGS = - 1.8 V - 150 • Low Threshold: 0.8 V (Typ.) • Fast Switching Speed: 14 ns • 1.8 V Operation • TrenchFET® Power MOSFETs • 2000 V ESD Protection • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SC-75A or SC-89 APPLICATIONS • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, G 1 Memories