精选2-1_晶体结构缺陷.pptVIP

②位置增殖： 　　当缺陷发生变化时，有可能引入M空位VM，也可能把VM消除。当引入空位或消除空位时，相当于增加或减少M的点阵位置数。但发生这种变化时，要服从位置关系。 引起位置增殖的缺陷有：VM、Vx、MM、Mx、XM、Xx等。 不发生位置增殖的缺陷有：e‘、h·、Mi、Xi等。 例如发生肖特基缺陷时，晶体中原子迁移到晶体表面，在晶体内留下空位，增加了位置数目。当然这种增殖在离子晶体中是成对出现的，因而它是服从位置关系的。 ③质量平衡：缺陷方程的两边必须保持质量平衡。 ④电荷守恒：在缺陷反应前后晶体必须保持电中性，或者说缺陷反应式两边必须具有相同数目的总有效电荷。 例如Ti02在还原气氛下失去部分氧，生成Ti02-ｘ的反应可写为： ⑤表面位置：当一个M原子从晶体内部迁移到表面时，用符号Ms表示，下标S表示表面位置，在缺陷化学反应中表面位置一般不特别表示。 　4）、举例说明如下： （1）、CaCl2溶解在KCl中形成固溶体。 表示KCl作为溶剂。 以上三种写法均符合缺陷反应规则。 实际上（1－1）比较合理。 （2）、 MgO溶解到Al2O3晶格中 （1－5〕较不合理。因为Mg2+进入间隙位置，在刚玉型离子晶体中不易发生。 4、热缺陷浓度计算 1)、计算单质晶