电子信息与工程专业毕业论文中英文资料外文翻译文献 AT-89C51单片机.doc

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毕业设计(论文) 中英文对照资料外文翻译文献 (此文档为word格式,下载后您可任意编辑修改!) 要 求 1、外文翻译是毕业设计(论文)的主要内容之一,必须学生独立完成。 2、外文翻译译文内容应与学生的专业或毕业设计(论文)内容相关,不得少于XXXX印刷符号。 3.外文翻译译文用A4纸打印,需包含中文翻译和英文原文。 4、年月日等的填写,用阿拉伯数字书写,要符合《关于出版物上数字用法的试行规定》2017年5月26日”。 5、所有签名必须手写,不得打印。 附件:外文资料翻译译文 AT89C51的介绍 描述 AT89C51是一个低电压,高性能CMOS8位单片机带有4K字节的可反复擦写的程序存储器(PENROM)。和128字节的存取数据存储器(RAM),这种器件采用ATMEL公司的高密度、不容易丢失存储技术生产,并且能够与MCS-51系列的单片机兼容。片内含有8位中央处理器和闪烁存储单元,有较强的功能的AT89C51单片机能够被应用到控制领域中。功能特性 AT89C51提供以下的功能标准:4K字节闪烁存储器,128字节随机存取数据存储器,32个I/O口,2个16位定时/计数器,1个5向量两级中断结构,1个串行通信口,片内震荡器和时钟电路。另外,AT89C51还可以进行0HZ的静态逻辑操作,并支持两种软件的节电模式。闲散方式停止中央处理器的工作,能够允许随机存取数据存储器、定时/计数器、串行通信口及中断系统继续工作。掉电方式保存随机存取数据存储器中的内容,但震荡器停止工作并禁止其它所有部件的工作直到下一个复位。引脚描述 VCC:电源电压 GND:地 P0口:P0口是一组8位漏极开路双向I/O口,即地址/数据总线复用口。作为输出口时,每一个管脚都能够驱动8个TTL电路。当“1”被写入P0口时,每个管脚都能够作为高阻抗输入端。P0口还能够在访问外部数据存储器或程序存储器时,转换地址和数据总线复用,并在这时激活内部的上拉电阻。P0口在闪烁编程时,P0口接收指令,在程序校验时,输出指令,需要接电阻。P1口:P1口一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口,P1的输出缓冲级可驱动4个TTL电路。对端口写“1”,通过内部的电阻把端口拉到高电平,此时可作为输入口。因为内部有电阻,某个引脚被外部信号拉低时输出一个电流。闪烁编程时和程序校验时,P1口接收低8位地址。 P2口:P2口是一个内部带有上拉电阻的8位双向I/O口,P2的输出缓冲级可驱动4个TTL电路。对端口写“1”,通过内部的电阻把端口拉到高电平,此时,可作为输入口。因为内部有电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流。在访问外部程序存储器或16位地址的外部数据存储器时,P2口送出高8位地址数据。在访问8位地址的外部数据存储器时,P2口线上的内容在整个运行期间不变。闪烁编程或校验时,P2口接收高位地址和其它控制信号。 P3口:P3口是一组带有内部电阻的8位双向I/O口,P3口输出缓冲故可驱动4个TTL电路。对P3口写如“1”时,它们被内部电阻拉到高电平并可作为输入端时,被外部拉低的P3口将用电阻输出电流。 P3口除了作为一般的I/O口外,更重要的用途是它的第二功能,如下表所示: 端口引脚 第二功能 P3.0 RXD P3.1 TXD P3.2 INT0 P3.3 INT1 P3.4 T0 P3.5 T1 P3.6 WR P3.7 RD P3口还接收一些用于闪烁存储器编程和程序校验的控制信号。 RST:复位输入。当震荡器工作时,RET引脚出现两个机器周期以上的高电平将使单片机复位。 ALE/:当访问外部程序存储器或数据存储器时,ALE输出脉冲用于锁存地址的低8位字节。即使不访问外部存储器,ALE以时钟震荡频率的1/16输出固定的正脉冲信号,因此它可对输出时钟或用于定时目的。要注意的是:每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE脉冲时,闪烁存储器编程时,这个引脚还用于输入编程脉冲。如果必要,可对特殊寄存器区中的8EH单元的D0位置禁止ALE操作。这个位置后只有一条MOVX和MOVC指令ALE才会被应用。此外,这个引脚会微弱拉高,单片机执行外部程序时,应设置ALE无效。 PSEN:程序储存允许输出是外部程序存储器的读选通信号,当AT89C51由外部程序存储器读取指令时,每个机器周期两次PSEN 有效,即输出两个脉冲。在此期间,当访问外部数据存储器时,这两次有效的PSEN 信号不出现。 EA/VPP:外部访问允许。欲使中央处理器仅访问外部程序存储器,EA端必须保持低电平。需要注意的是:如果加密位LBI被编程,复位时内部会锁存EA端状态。如EA端为高电平,CPU则执行内部程序存储器中的指令。闪烁存储器编程时,该引脚加上+12V的编程允许电压VPP,当然这必须是该器件是使用12V编

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