相变随机存储器材料与结构设计最新进展.pdfVIP

趋势与展望 Outlook and Future 相变随机存储器材料与结构设计最新进展 刘波 , 宋志棠 , 封松林 ( 中国科学院 上海微系统与信息技术研究所 纳米技术研究室 , 上海200050) 摘要 : 介绍了相变随机存储器 ( PCRAM) 的研究现状 , 包括新型相变材料 、热阻层材料和 器件结构等 。分析了 GeSb 和 SiSb 等相变材料具有组分简单 、数据保持力好 、优 良的存储性能等 特点 , 介绍了 PCRAM 这一新型半导体存储器的基本原理 、特点以及国内外有关相变材料 、过渡 层材料和