PMOS晶体管工艺参数变化对SRAM单元翻转恢复-电子与信息学报.PDF

第 39 卷第 11 期 电 子 与 信 息 学 报 Vol.39No.11 2017 年 11 月 Journal of Electronics Information Technology Nov. 2017 PMOS 晶体管工艺参数变化对SRAM 单元翻转恢复效应影响的研究 张景波①② 杨志平① 彭春雨① 丁朋辉① 吴秀龙*① ①(安徽大学电子信息工程学院 合肥 230601) ②(工业和信息化部产业发展促进中心 北京 100804) 摘 要：基于 Synopsys 公司 3D TCAD 器件模拟，该文通过改变 3 种工艺参数，研究 65 nm 体硅 CMOS 工艺下 PMOS 晶体管工艺参数变化对静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)存储单元翻转恢复效应的 影响。研究结果表明：降低 PMOS 晶体管的P+深阱掺杂浓度、N 阱掺杂浓度或调阈掺杂浓度，有助于减小翻转恢 复所需的线性能量传输值(Linear Energy Transfer, LET)；通过降低PMOS 晶体管的P+深阱掺杂浓度和 N 阱掺杂 浓度，使翻转恢复时间变长。该文研究结论有助于优化 SRAM 存储单元抗单粒子效应(Single-Event Effect, SEE) 设计，并且可以指导体硅 CMOS 工艺下抗辐射集成电路的研究。 关键词：静态随机存储器；线性能量传输值；翻转恢复时间；单粒子效应 中图分类号： TN432 文献标识码： A 文章编号：1009-5896(2017)11-2755-08 DOI: 10.11999/JEIT170547 Study on the Effect of Upset and Recovery for SRAM Under the Varying Parameters of PMOS Transistor ①② ① ① ① ① ZHANG Jingbo YANG Zhiping PENG Chunyu DING Penghui WU Xiulong ① (School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230601, China) ② (Industry Development and Promotion Center of Ministry of Industry and Information Technology, Beijing 100804, China) Abstract: Based on Synopsys TCAD 3-D device simulation, the effects of PMOS transistor process parameters on the upset and recovery effect of Static Random Access Memory (SRAM) memory cell are studied in a 65-nm bulk CMOS technology, mainly by changing the three process parameters. The simulation results show that reducing the doping concentration of deep-P+-well, N-well and threshold doping concentration in PMOS transi