基于MET模型的VDMOSFET建模-电子器件.PDF

第38卷 第5期 电 子 器 件 Vol38 No.5 2015年10月 ChineseJournalofElectronDevices Oct. 2015 VDMOSModelingBasedonMETModel* HANShan，LIWenjun ，LINXuan，LIUJun* （MicroelectronicCADCenter，HangzhouDianziUniversity，Hangzhou310018，China） Abstract：TheuniquestructureoftheVDMOS（VerticalDoubleDiffused）isstudied.Asuitabletopologicalstruc⁃ tureforthisdeviceisbuilt.Anaccuracylarge- signalequivalentcircuitmodelbasedonMETModelispresented， whichissingle- pieceandcontinuouslydifferentiable.Staticanddynamicthermaldependenciesareconsidered.A singlecontinuouslydifferentiabledraincurrentequationmodelsthesubthreshold，triode，highcurrentsaturation anddraintosourcebreakdownregionsofoperation.Verilog-AlanguageisusedtoembedmodelintwoEDAtools， theoneisCadencethe，theotherisHSPICE，theresultsofthemeasuredandsimulateddatamatchexactly.This modelisappliedintheS-RinSeriesthethirdgenerationVDMOSproducts’modeling.Workingvoltagecovers 500 V，600V，650Vand 800V.SimulatedandmeasuredI- V，C- Vcharacteristicsshowgoodagreement.Thecompari⁃ sonsbetweensimulationandmeasurementsindicatethatthismodelcandescribetheDCcharacteristicsofVDMOS accurately. Keywords：VerticalDoublediffusedMOS（VDMOS）；FreescaleMETmodel；parameterextraction；Verilog-A EEACC：2570F doi：10.3969/j.issn.1005-9490.2015.05.005 基于MET模型的VDMOSFET建模 韩 山，李文钧 ，林 煊，刘 军* （杭州电子科技大学微电子CAD研究所，杭州310018） 摘 要：研究了VDMOS的独特结构，建立了适合该器件的拓扑结构，电容、源漏二极管和源漏电流方程，提出了一个基于 MET模型的VDMOS模型。以Verilog-A语言嵌入到EDA设计工具Cadence和电路模拟程序HSPICE中，基于Verilog-A的仿真 结果可实现与测试数据的准确拟合。应用模型到士兰微电子S-Rin系列第三代高压VDMOS产品的建模中，工作电压涵盖500 V、600V、650V和800V，测量和仿真所得I-V，C-V特性曲线对比结果吻合很好，验证了模型具有良好的精度，可以表征VDMOS 交直流特性。 关键词：VDMOS；FreescaleMET模型；参数提取；Verilog-A 中图分类号：TN386 文献标识码：A 文章编号：1005-9490（2015）05-0986-07 VDMOS （Vertical Double- diffused Metal O