基于模拟电路的新型忆感器等效模型-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 15 (2013) 158501 基于模拟电路的新型忆感器等效模型* † 梁燕 于东升 陈昊 ( 中国矿业大学, 信息与电气工程学院, 徐州 221116 ) ( 2013 年3 月6 日收到; 2013 年4 月11 日收到修改稿) 本文首先利用光敏电阻阻值的可控性, 建立了磁通控制型忆阻器的等效电路模型. 通过对忆感器和忆阻器间转 换关系的分析, 采用模拟电子元器件设计了磁通控制型忆感器的实用等效电路模型, 给出了理论分析并结合Pspice 软件进行了仿真验证. 忆感器等效电路模型的韦安关系展现出典型的非线性磁滞回线特性. 最后, 运用实验手段研 究了正弦波和三角波两种典型电压信号激励下忆感器与RC 串联后电路的动态特征, 证明了本文提出忆感器等效电 路模型的有效性. 关键词: 忆阻器, 忆感器, 磁滞回线特性, Pspice PACS: 85.25.Hv, 07.50.Ek DOI: 10.7498/aps.62.158501 建了忆阻器的等效电路模型, 可通过编写数字芯片 1 引言 内部代码实现对忆阻值的修改. 但由于模拟信号与 数字信号之间需要进行转换处理, 从而使模型的应 蔡少棠在 1971 年发表论文推测, 存在衔接电 用具有一定的局限性. 目前对于忆感器的研究仍只 荷和磁通关系的第四种基本电路元件—– 忆阻 停留在理论与仿真层面上, 尚没有可行的物理合成 12 器 , 但当时并没有引起足够的研究兴趣. 直到 方案. 文献[18] 在Pspice 仿真环境下利用受控源与 2008 年5 月, 惠普实验室宣布利用TiOx 成功合成 编程模块实现对忆感器的仿真模拟. 文献[19] 虽提 3 了具有忆阻器特性的纳米级固态元件 , 忆阻器 出了一种简单易实现的忆感器和忆容器的等效电 的相关研究迅速引起研究者们的重视4−6 . 作为 路, 但其带有附加电阻且只进行了仿真验证, 在实 一种具有记忆能力的非线性阻性元件, 忆阻器的信 验研究中仍具有很大的局限性. 上述研究虽然提出 息记忆能力使其在非易失存储器、振荡电路等研 了忆感器的仿真模型, 但可用于实验研究的忆感器 究领域展现出巨大的应用潜力7−9 . 2009 年, 文献 等效电路模型尚未见报道. [10] 进一步提出忆感器和忆容器的概念. 因其具有 本文借助于光耦电阻XINLD-65 的阻值可控 独特的记忆和动态能量存储能力, 有理由相信忆感 性建立了磁通控制型忆阻器的等效电路模型. 在此 器和忆容器在电子电路领域将展现更为诱人的应 基础上, 通过分析忆阻器与忆感器之间变量的转换 用前景. 关系, 设计了一种新的易于电路实现且无附加串联 因忆阻器元件尚不可购, 建立等效电路并对其 电阻的忆感器实用等效电路模型, 并进行了相关理 动态特性进行深入研究是十分必要的. 目前, 已完 论分析和实验验证. 成了许多有关忆阻器仿真模型 11−13 和等效电路 模型14−17 的研究工作. 如文献[14] 设计了一种可 2 磁通控制型忆阻器等效电路模型 以模拟TiO2 型忆阻器的等效电路, 并研究了