串联型或并联型电压基准的选择.PDFVIP

/ 串联型或并联型电压基准的选择 摘要：本文介绍了不同类型电压基准芯片的选择，提供了选择串联型和并联型电压基准时需 要考虑的几项指标。 串联型电压基准 串联型电压基准具有三个端子：V 、V 和GND，类似于线性稳压器，但其输出电流较低、具 IN OUT 有非常高的精度。串联型电压基准从结构上看与负载串联(图 1)，可以当作一个位于VIN和VOUT 端之间的压控电阻。通过调整其内部电阻，使V 值与内部电阻的压降之差(等于V 端的基准 IN OUT 电压)保持稳定。因为电流是产生压降所必需的，因此器件需汲取少量的静态电流以确保空 载时的稳压。串联型电压基准具有以下特点： • 电源电压(V )必须足够高，保证在内部电阻上产生足够的压降，但电压过高时会损 CC 坏器件。 • 器件及其封装必须能够耗散串联调整管的功率。 • 空载时，唯一的功耗是电压基准的静态电流。 • 相对于并联型电压基准，串联型电压基准通常具有更好的初始误差和温度系数。 图 1. 三端串联型电压基准框图 串联型基准设计 串联型电压基准的设计相当简便，只需确保输入电压和功耗在IC规定的最大值以内： P_SER = (V - V )IL + (V x I ) SUP REF SUP Q / 对于串联型电压基准，最大功耗出现在最高输入电压、负载最重的情况下： WC_P_SER = (V - V )IL + (V x I ) MAX REF MAX MAX Q 其中： P_SER = 串联型基准的功耗 VSUP = 电源电压 VREF = 基准电压输出 IL = 负载电流 IQ = 电压基准的静态电流 WC_P_SER = 最大功耗 VMAX = 最大电源电压 ILMAX = 最大负载电流 并联型电压基准 并联型电压基准有两个端子：OUT 和 GND。它在原理上和稳压二极管很相似，但具有更好的 稳压特性，类似于稳压二极管，它需要外部电阻并且和与负载并联工作(图 2)。并联型电压 基准可以当作一个连接在 OUT 和GND 之间的压控电流源，通过调整内部电流，使电源电压与 电阻 R1 的压降之差(等于 OUT 端的基准电压)保持稳定。换一种说法，并联型电压基准通过 使负载电流与流过电压基准的电流之和保持不变，来维持 OUT 端电压的恒定。并联型基准具 有以下特点： • 选择适当的 R1 保证符合功率要求，并联型电压基准对最高电源电压没有限制。 • 电源提供的最大电流与负载无关，流经负载和基准的电源电流需在电阻 R1 上产生适 当的压降，以保持 OUT 电压恒定。 • 作为简单的 2 端器件，并联型电压基准可配置成一些新颖的电路，例如负电压稳压 器、浮地稳压器、削波电路以及限幅电路。 • 相对于串联型电压基准，并联型电压基准通常具有更低的工作电流。 / 图 2. 2 端并联型电压基准框图 并联型基准设计 并联型电压基准的设计稍微有些难度，必须计算外部电阻值。该数值(R1)需要保证由电压基 准和负载电流产生的压降等于电源电压与基准电压的差值。采用最低输入电源电压和最大负 载电流计算R1，以确保电路能在最坏情况下正常工作。下列等式用于计算R1 的数值和功耗， 以及并联型电压基准的功耗(图 3)。 R1 = (V - V ) / (I + IL ) MIN REF MO MAX R1 上的电流和功耗仅与电源电压有关，负载电流对此没有影响，因为负载电流与电压基准 的电流之和为固定值： I_R1 = (V - V ) / R1 SUP REF P_R1 =