氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 11 (2013) 117303 氮氟复合注入对注氧隔离SOI 材料埋氧层内 固定正电荷密度的影响 1 2 2 3 1 1† 张百强 郑中山 于芳 宁瑾 唐海马 杨志安 1) ( 济南大学物理科学与技术学院, 济南 250022 ) 2) ( 中国科学院微电子研究所, 北京 100029 ) 3) ( 中国科学院半导体研究所, 北京 100083 ) ( 2013 年1 月11 日收到; 2013 年2 月21 日收到修改稿) 为了抑制埋层注氮导致的埋层内正电荷密度的上升, 本文采用氮氟复合注入方式, 向先行注氮的埋层进行了注 氮之后的氟离子注入, 并经适当的退火, 对埋层进行改性. 利用高频电容- 电压(C-V) 表征技术, 对复合注入后的埋 层进行了正电荷密度的表征. 结果表明, 在大多数情况下, 氮氟复合注入能够有效地降低注氮埋层内的正电荷密度, 且其降低的程度与注氮后的退火时间密切相关. 分析认为, 注氟导致注氮埋层内的正电荷密度降低的原因是在埋层 中引入了与氟相关的电子陷阱. 另外, 实验还观察到, 在个别情况下, 氮氟复合注入引起了埋层内正电荷密度的进一 步上升. 结合测量结果, 讨论分析了该现象产生的原因. 关键词: 绝缘体上硅(SOI) 材料, 注氮, 注氟, 埋氧层正电荷密度 PACS: 73.40.Qv, 61.72.U− DOI: 10.7498/aps.62.117303 (PD) SOI 工艺来实现. 二者相比, FD SOI 器件及电 1 引言 路具有更为优异的电学性能和更为出色的抗SEU 能力. 但对FD SOI MOSFET 来讲, 除寄生背沟道的 SOI 即绝缘体上的硅材料. 基于SOI 技术的集 影响外, 还存在辐射引起的背栅晶体管阈值电压的 成电路因具有功耗低、速度快、寄生电容小、集 漂移对前栅晶体管阈值电压的影响问题. 对于目前 成密度高等优点而得到迅速发展和日益广泛的应 阈值电压较低的超深亚微米SOI MOSFET 来说, 较 用. SOI 电路的优势来源于SOI 材料绝缘埋层(一 小的阈值电压漂移就可能导致器件及电路泄漏电 般为SiO ) 将顶层器件与衬底完全隔离的独特结 流的较大增长. 因此, 这一前栅与背栅晶体管的耦 2 构. 特别, 埋层的存在减小了器件的结区面积, 增 合问题尤其值得关注. 为了抑制辐射环境下背栅晶 强了存储电路单元抗单粒子事件翻转(SEU) 的能 体管阈值电压的漂移, 同时避免寄生背沟道的开启, 12 就必须对使用的SOI 材料进行针对埋层的抗总剂 力 , 使SOI 成为制作抗SEU 电路的首选材料. 虽然埋层的存在为SOI 器件及电路带来诸多 量辐射加固. 的优势, 却也增加了器件及电路抗总剂量辐射加固 一种常用而有效的埋层加固方法是将一定 的复杂性. 在SOI 场效应晶体管(MOSFET) 中, 因 剂量的掺杂剂以离子注入方式注入到埋层中, 通 埋层的存在而引入了一个寄生背沟道. 在辐射环 过对埋层进行改性, 来提高埋层的抗总剂量辐射 境下, 寄生背沟道因埋层辐射损伤而开