原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
交流电方法用于单晶n一-CdTe光电极性能的研究-上海有机化学研究所.PDF
化学学报 AarA CHIMICA 8INICA l t110 18, 561-565
交流电方法用于单晶n一-CdTe 光电极性能的研究
范钦柏 邓萦旷
〈上海科学技术大学化学系，上海〉
本文应用循环伏安法研究了 n 型暗化铺单晶电极的光致腐蚀行为;并运用 PAR M368 电化学
阻抗系统测得了此电极在不同电位下的交流复阻抗图，估算了此电极的表面态密度及其它参数.实
验结果表明，n-CdTe/液体结具有Schottky 结的特征，此电极的 Fermi 能级可能有钉扎现象.
化合物半导体 CdTe 的能隙适中，是一种较为理想的光电转换材料EI，m- 文献[3] 是对n
CdTe 单晶光电极系统研究的一部分. 近年来，循环伏安法和交流阻抗法在半导体电极性能
的研究上已得到了应用民5J ， PAR M368 交流阻抗测试系统是通过对高频信号锁相放大和低
频信号 Fourior 变换，经微机控制来精确测量复阻抗的，对软件适当改进，能用于循环伏安法
的研究.我们利用此设备对掺锢单晶 n--CdTe 光电极的性能作了进一步的研究.
实验
1.电池的组装:由 Cd 气压控制下的 Bridgman 法制成的低阻掺In 单晶 n-CdTe，由我
17 3
校材料科学系提供p 载流子浓度为 5 X 10 om- ，选择光亮致密而完整的单晶面p 经X 射线走
向为(100) 向(110) 偏离驴，背面用 In-Sn 合金作欧姆接触，制成的光电极表面经Wl0 号金
相砂纸磨光后，用 Si0
膏抛光成镜面.
2
(vs. SCE). 文中所述电位均
对电极由四根石墨碳棒串扎而戚，参比电极为饱和甘京电极
相对此电极而言.
电池中采用的多硫溶液由 NaOH， Na2S.9H20 及升华硫配得. (实验中所用溶液除注明
外均用分析纯试剂配制) .
r 0
2. 光电极的化学刻蚀溶液为 2gK C 2 7(CR) ， 4皿LHNO 10mLH 0. 刻蚀时间为
及
2 a 2
2
80s，光源为 400W 卤鸽灯，光强为 50mW/om .
3. 循环伏安曲线和交流阻抗图在PAR M368 电化学阻抗测试系统上测得.
结果与讨论
循环伏安研究 在 1MNaOH， lMHCl 及 1MKCl等溶液中，测定了电极的循环伏安曲
线，实验在刻蚀前与刻蚀后，未光照与光照四种情况下进行.在不同溶液中p 光照下的阴、阳极
极化电流往往比不光照时的大，见图 1一-3，表明电极表面发生了光氧化还原反应.在 1MHCl
溶液(pH=O) 中，电极光照下有一峰，电位约为一O.lV，它与电极处理与否无关，是先腐蚀峰，
如圈 1.
1988 年 7 月 6 日收到U. 本文系中国科学院自然科学基金资助的课题.
化学学报 AOTA CHIMICA SINICA 1ω。
.582.
1600
1200
800
400
文档评论（0）