有关东南大学电子器件 金半接触.pptVIP

  • 6
  • 0
  • 约1.48万字
  • 约 25页
  • 2017-11-08 发布于湖北
  • 举报
东南大学电子器件金半接触

acceptor 受主 donor 施主 recombination 复合 majority 多子 minority 少子 transition region 过渡区 depletion region 耗尽区 contact barrier 接触势垒 p-n junction pn结 heterojunction/异质结 EHP 电子空穴对 homojunction/同质结 Schottky barrier /肖特基势垒 barrier height/势垒高度 ideal/理想的 work function/功函数 practical/实际的 electron affinity/电子亲和能 Fermi level/费米能级 rectifier /整流器 electrostatic potential/静电势 breakdown /击穿 rectifying contacts/整流接触 Ohmic contacts/欧姆接触 surface state/表面态 lattice-matched/晶格匹配的 tunneling effect/隧道

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档