二极管非制冷红外探测器和其读出电路设计.pdf

第42 卷第7 期 红外与激光工程 2013 年7 月 Vol.42 No.7 Infrared and Laser Engineering Jul.2013 二极管非制冷红外探测器及其读出电路设计 1 1,2 1 1,2 1 祖秋艳 ，王玮冰 ，黄卓磊 ，何 鑫 ，陈大鹏 (1. 中国科学院微电子研究所 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室，北 100029 ； 2. 江苏物联网研究发展中心，江苏 无锡 214315) 摘 要 针对非制冷红外技术的低成本高性能应用，提出了基于SOI 的二极管红外探测器及其读出 电路的集成设计 案。阐述了二极管非制冷红外探测器的基本原理和工艺实现。对探测器的电学特性 进行理论推导，得出读出电路的设计指标。采用连续时间自稳零电路 构实现探测器输出信号的低 噪声低失调放大，采用级联滤波器以减弱开关非理想因素的影响，并采用片内电容采样保持，使得 。采用 ，在 I/O 引脚数较少，从而减小版图面积 spectre 工具进行仿真 CSMC 0.5 滋m 2P3M CMOS 工艺 。 ，闭环增益为 Hz 下实现 果表明：读出电路性能良好 65.8 dB ，等效输入噪声谱密度为 450 nV/ 姨 ，等 效输入失调电压 100 滋V 以内，功耗为5 mW ，能实现探测器信号的准确读出。 ； 关键词 二极管非制冷红外探测器 自稳零技术； 低噪声； 低失调； 读出电路 中图分类号 TN43 文献标志码 A 文章编号 1007-2276(2013)07-1680-05 Uncooled diode infrared detector and design of its readout interface circuit 1 1,2 1 1,2 1 Zu Qiuyan , Wang Weibing , Huang Zhuolei , He Xin , Chen Dapeng (1. Key Laboratory of Microelectronics Devices Integrated Technology , Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Science , Beij ing 100029, China; 2. JiangSu RD Center For Internet of Things , Wuxi 214315, China) Abstract: A design for integration of diode infrared detectors based on SOI and its readout