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第32卷第3期 光 电 子 技 术 V01．32No．3
2012年9月 OPTOELECTRONICTECHNOLOGY 2
Sept．201
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冬研究与试制乞
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基于PERL技术的硅基PIN光电二极管的
设计与仿真
耿博耘，刘 锋，吕 菲，韩焕鹏
(中国电子科技集团第四十六研究所，天津300220)
摘 要：缺乏高质量的硅光电接受器件一直制约着全硅光电子回路的发展。分析讨论了PERL
太阳能电池的高效光电特性技术，并将其应用于硅光电二极管，设计了一种高响应度，高截止频率
的硅基PIN光电二极管的器件结构，说明了该结构的技术特点与制备工艺。使用SUPREM—IV仿真
器对该器件进行了模拟仿真，讨论了I层的长度与厚度对器件性能的影响。
关键词：PERL技术；硅基PIN光电二极管；SUPREM—IV模拟仿真
中图分类号：TNl04．3文献标识码：A
andSimulationofSiliconPINPhotodiode
Design
BasedonthePERL
Technology
Liu LvFeiHan
Boyun
Geng Feng Huanpeng
Electronics
(China No．46Research 300220，CHN)
TechnologyCorporation Institute，Tianjin
Group
all—silicon circuithas been thelackof
Abstract：Theoptoelectronicalwayshamperedby high
silicon device．Theefficient ofPERLsolar
photo
quality receiving optoelectronictechnologies
ceilsare and totheSi-based described．Thestructureof sensi一
analyzedapplied photodiode high
cut—off siliconPIN deviceis technicalcharacter—
-tivity，highfrequency photodiodedesigned．The
are simulator simu—
isticsand ofthestructureillustrated．TheSUPREM—IVisusedto
processing
the andthicknessesOilthedevice
latethedevice．Theinfluenceof differ
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