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RF功率器件的设计及应用 /asdfg_9402@126/blog/static/62089270201153011258875/ 发布时间： 2011/06/30　　为满足晶体管晶体管 　　晶体管是由三层杂质半导体构成的器件，有三个电极，所以又称为半导体三极管，晶体三极管等，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。 [全文] 用户的需求，有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言，为这些应用提供高性能射频以及微波晶体管并不是一个大挑战，该公司的产品在特性、封装以及应用工程方面具有明显优势。 　　飞思卡尔半导体在生产及销售分立和集成射频半导体器件方面具有雄厚实力。该公司采用HV7工艺的第七代硅RF外侧扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，在3.8GHz范围内具有满足WiMAX基础设施的输出功率和线性性能。飞思卡尔面向工业、科学以及医疗(ISM)应用的高电压HV7工艺支持48V工作电压，该公司还将其大功率GaAs PHEMT器件的工作频率扩展到6GHz，可用于WiMAX放大器。 　　最近，飞思卡尔半导体宣布推出第一款具有100W输出功率的两级射频集成电路集成电路 　　集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。它在电路中用字母IC(也有用文字符号N等)表示。 [全文] (RF IC)。当由该公司高性价比的MMG3005N通用放大器(GPA)驱动时，MWE6IC9100N和MW7IC181 00N RF IC构成了工作在900和1,800MHz的无线基站100W功率放大器功率放大器 　　在给定失真率条件下，能产生最大功率输出以驱动某一负载(例如扬声器)的放大器。 [全文] 完整解决方案。 　　虽然这些分立以及集成RF功率器件的性能非常优异，但将这些器件交至客户手中仅仅是开始。事实上，每次交付使用都将由飞思卡尔的技术人员提供各种测试、建模、封装以及应用支持。 　　RF功率特性 　　负载拉移测量技术在最近几年愈来愈受欢迎，该技术通常被用来测量RF功率放大器的参数，比如峰值输出功率、增益，以及在器件参考平面出现的各种复杂负载条件下的效率。在同一测量环境中采用多种复杂的调制信号也越来越普遍。对大功率RF半导体生产商而言，准确表征产品的特性还存在困难，与此同时开发这类器件还必须采用大的外围设备。这类设备一般为60mm，终端阻抗低于0.5Ω，品质因数(Q)在8至10之间。 　　飞思卡尔公司的射频部门已开发出几种增强精度的技术和以及多种自动定制测量技术。该部门具有高反射(高γ)负载拉移实验室，测试频率覆盖250MHz至8GHz，测试功率高达100W连续功率(CW)(或者500W脉冲功率)，可为该公司的GaAs、GaN和LDMOS器件、建模、应用和其它功能小组提供服务(图1)。飞思卡尔具有对0.5Ω以及更低阻抗器件实现先进测量的能力，为此该公司开发出了一系列专门测试设备来优化阻抗变换比，将50Ω系统特性阻抗转变为大功率晶体管负载拉移测量所需的低阻抗。 　　除基于夹具的系统外，飞思卡尔还采用基于商用晶圆探针探针 　　测试针，用于测试PCBA的一种探针。 　　表面镀金，内部有平均寿命3万~10万次的高性能弹簧。 [全文] 测试设备的晶圆上负载拉移系统，该系统主要用于器件的研究、开发及建模。晶圆上负载拉移系统采用独特的三维抗振动机制来减小调谐振动的影响，从而将探针到晶圆的接触损伤降至最小。 　　飞思卡尔半导体公司的负载拉移系统具有很高的精度，通常在γ值最大(0.93至0.95或Smit*边沿)的情况下，传感器差分增益ΔGt小于0.25dB，并且在测量区域内小于0.1dB。这一精度水平是通过在所有测量参考面采用高精度的7mm同轴连接器连接器 　　连接器是一种通常安装在电缆或者设备上，供传输线系统电连接的可分离元件（转接器除外）。国内亦称作接插件、插头和插座。一般是指电连接器。即连接两个有源器件的器件，传输电流或信号。 [全文] 来实现的，这些连接器的在2GHz下的电压驻波比(VSWR)一般为1.008:1。另外一些特性也为达到这个精度提供了保障，这些特性包括：中心接触阻抗小于0.1mΩ、良好的校正特性、单元至单元阻抗变化小于0.1%、在18GHz频率下的相变小于0.21度。 　　结合使用矢量网络分析仪与负载拉移测试系统，并采用穿透-反射-线(TRL)校正法，可实现优于45dB的源匹配。与其VNA校正方法，如短路-开路-负载-穿透(SOLT)法相比，TRL校正法不受高频下