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数字集成电路设计2011补充：MOS反相器 许晓琳 (xu.xiaolin@163.com) 合肥工业大学电子科学与应用物理学院 静态MOS反相器的分类 电阻负载反相器 MOS管反相器 饱和型MOS负载 非饱和型MOS负载(E/E MOS电路) 耗尽型负载(E/D MOS电路) 互补型负载(CMOS电路) 电阻负载反相器 特点： 最大输出电压等于电源电压VDD 输出低电平与负载电阻的大小有关：RL越大，输出低电平就越低 过渡区也与负载电阻的大小有关： RL越大，过渡区越窄 E/E MOS反相器 特点： 输出高电平的最大值是VDD-VTL 输入管的跨导越大，负载管的跨导越小，输出低电平就越低，传输特性曲线的过渡区就越窄 负载管跨导越小，意味着ID-VDSL曲线就越平坦，相当负载电阻很大 饱和MOS负载反相器 优点： 负载管所占用面积小 输出低电平很容易设计得很小 电源电压只需要一组 缺点： 输出高电平比电源电压低一个VT，不能有效地利用全部电源电压 当输出接近高电平值时，负载管接近截止状态，导通电阻变得很大，对开关速度不利 E/D MOS反相器 优点： 负载管不进入饱和区，因此VOH可达VDD，而且在输出高电平时负载管的导通电阻仍较小 缺点： 功耗比饱和MOS负载大得多 尽管速度特性得到改善，但对电路优值改进不大 E/D MOS反相器 特点： 最大输出电压等于电源电压，因此可以在低电源电压下工作 直流特性强烈地依赖于负载管的VTD，VTD成为电路设计中的一个重要因素 直流噪容大，抗干扰能力强 负载管具有恒流源特性，电路的工作速度较快 互补型负载反相器(CMOS反相器) END CMOS反相器. * * VDD Vout Vin RL TI ID VDD Vout Vin TI TL VDD Vout Vin TI TL VGG VDD Vout Vin TS TD VDD Vout CL Vin 跨导 　　就是一个电路单元的输出电流与该单元的输入电压的比值，这个电路单元通常指放大器。 　　在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。 CMOS反相器. * * * *